| 主权项 |
1.一种记忆胞的形成方法,包括: 在一基底上形成一下电极; 在该下电极上沉积一记忆体组件;以及 在该记忆体组件上形成一字元线,该记忆体组件的 一截面区域系由该下电极的一厚度及该字元线的 一宽度决定。 2.如申请专利范围第1项所述之记忆胞的形成方法, 其中沉积该记忆体组件包括沉积一硫化物记忆体 组件。 3.如申请专利范围第2项所述之记忆胞的形成方法, 更包括: 在基底中提供自对准的一位元线;以及 在该位元线上形成一隔离元件,系延伸于该字元线 及该下电极之间。 4.如申请专利范围第3项所述之记忆胞的形成方法, 其中形成该下电极的步骤包括在该基底上方沉积 一导电材料膜层。 5.如申请专利范围第4项所述之记忆胞的形成方法, 其中沉积该导电材料膜层包括: 沉积该导电材料膜层,系具有一较低的水平部分、 一垂直部分及一较高的水平部分,每一部分具有一 厚度;以及 移除移除该较高的水平部分以形成一接触窗,该接 触窗的一宽度即为该垂直部分的厚度。 6.如申请专利范围第5项所述之记忆胞的形成方法, 更包括在该隔离元件及该导体材料膜层之间形成 一金属矽化物(silicide)。 7.如申请专利范围第6项所述之记忆胞的形成方法, 其中沉积该导体材料膜层包括沉积一多晶矽材料 。 8.如申请专利范围第6项所述之记忆胞的形成方法, 其中沉积该导体材料膜层包括沉积一金属化合物, 系选自钨(W)、钽(Ta)、氮化钛(TiN)、钨化钛(TiW)、 氮化钽(TaN)及氮铝化钛(TiAlN)所组成的族群其中之 一。 9.如申请专利范围第3项所述之记忆胞的形成方法, 其中形成该字元线包括: 在该硫化物材料上沉积一金属层;以及 图案化该金属层,以形成与该位元线垂直的该字元 线。 10.如申请专利范围第1项所述之记忆胞的形成方法 ,其中沉积该记忆体组件包括沉积一相变材料。 11.如申请专利范围第2项所述之记忆胞的形成方法 ,更包括: 施加一非结晶状态电流脉冲到该记忆胞,以使得该 硫化物记忆胞的一温度上升并高于一第一温度,且 在一第一时间间隔中该硫化物记忆胞的该温度维 持高于一第二温度而低于该第一温度;以及 藉由施加一结晶状态电流脉冲到该硫化物记忆体 组件以设定该记忆胞,以使该硫化物记忆体组件的 该温度上升并高于该第二温度,且在一第二时间间 隔中该硫化物记忆胞的该温度维持高于该第二温 度,且该第二时间间隔系大于该第一时间间隔。 12.如申请专利范围第11项所述之记忆胞的形成方 法,其中: 在一第三时间间距中,当施加该非结晶状态电流脉 冲到该记忆胞时,该硫化物记忆体组件的该温度从 该第一温度下降到该第二温度,且该第三时间间距 系小于该第二时间间距;以及 在设定该记忆胞时,该硫化物记忆体组件的温度不 会超过该第一温度。 13.一种记忆胞,包括: 一位元线,系配置在一基底中; 一隔离元件,系配置于该位元线上; 一下电极,系配置于该隔离元件上且具有一厚度; 一记忆体组件,系配置于该下电极上;以及 一字元线,系配置于该记忆体组件上且具有一宽度 ,该记忆体组件的一截面区域系由该下电极的该厚 度及该字元线的该宽度决定。 14.如申请专利范围第13项所述之记忆胞,其中该记 忆体组件包括由一硫化物材料所形成。 15.如申请专利范围第14项所述之记忆胞,更包括一 金属矽化物层,系配置于该隔离元件及该硫化物记 忆体组件之间。 16.如申请专利范围第15项所述之记忆胞,其中该隔 离元件包括一二极体。 17.一种记忆胞阵列,包括: 多数条位元线,系配置在一参考方向上; 多数条字元线,系配置在与该参考方向不同的一方 向上,且具各该字元线具有一宽度;以及 多数个记忆胞,系位在该些字元线与该些位元线的 多数个交界处,且各该记忆胞包括: 一下电极,系配置于各该字元线与各该位元线之间 所对应的各该交界处,且具有一厚度;以及 一记忆体组件,系配置于各该下电极与各该字元线 之间,其中各该记忆体组件的一截面区域系由各该 下电极的该厚度及各该字元线的该宽度所决定。 18.如申请专利范围第17项所述之记忆胞阵列,其中 各该记忆体组件包括一硫化物记忆体组件。 19.如申请专利范围第18项所述之记忆胞阵列,其中 各该记忆胞更包括一隔离元件接触于各该字元线 及一金属矽化物层接触于各该隔离元件。 20.如申请专利范围第19项所述之记忆胞阵列,其中 各该下电极包括: 一水平部分,系接触于各该金属矽化物层;以及 一垂直部分,系接触于各该硫化物记忆体组件。 21.如申请专利范围第18项所述之记忆胞阵列,其中 各该硫化物记忆体组件的膜层包括一硫化物材料 层。 22.一种记忆胞的操作方法,包括: 藉由施加一非结晶状态电流脉冲到该记忆胞以重 置该记忆胞,以使得该记忆胞中之一硫化物记忆体 组件的一温度上升并高于一第一温度,且在一第一 时间间隔中该硫化物记忆胞的该温度维持高于一 第二温度而低于该第一温度;以及 藉由施加一结晶状态电流脉冲到该记忆胞以设定 该记忆胞,以使该硫化物记忆体组件的该温度上升 并高于该第二温度,且在一第二时间间隔中该硫化 物记忆胞的该温度维持高于该第二温度,且该第二 时间间隔系大于该第一时间间隔。 23.如申请专利范围第22项所述之记忆胞的操作方 法,其中在设定该记忆胞时,该硫化物记忆体组件 的温度不会超过该第一温度。 24.如申请专利范围第22项所述之记忆胞的操作方 法,其中在一第三时间间距中,当重置该记忆胞时, 该硫化物记忆体组件的该温度从该第一温度下降 到该第二温度,且该第三时间间距系小于该第二时 间间距。 图式简单说明: 图1系绘示本发明一较佳实施例中硫化物记忆胞阵 列之一部分的示意图。 图2-图6系绘示本发明一较佳实施例中硫化物记忆 胞前期的步骤的制造流程剖面图。 图7-图12系绘示本发明一较佳实施例中形成下电极 的制造流程剖面图。 图13系绘示在图12的结构上沉积一硫化物材料层及 一字元线材料层后的剖面图。 图14-图16系绘示形成字元线的制造流程剖面图。 图17系绘示指出设定及重置硫化物记忆体之位置 的剖面图。 图18系绘示设定及重置硫化物记忆胞之温度波形 的示意图。 |
