| 主权项 |
1.一种高压金氧半导体元件,包含有: 一具有一第一导电型的半导体基底; 一具有一第二导电型的漂流离子井,设于该半导体 基底中; 一第一绝缘区域,设于该漂流离子井内; 一闸极,设于该半导体基底上,并且该闸极与一部 份的该第一绝缘区域重叠; 一具有该第二导电型的汲极区域,设于该第一绝缘 区旁与该闸极相反的一侧; 一第二绝缘区域,设于该漂流离子井内,且该第二 绝缘区域设于该汲极区域旁;以及 一第一具有该第二导电型的虚设扩散区域,设于该 漂流离子井内,且该虚设扩散区域设于该第二绝缘 区域旁与该汲极区域相反的一侧。 2.如申请专利范围第1项所述之高压金氧半导体元 件,其中该高压金氧半导体元件另包含有一第三绝 缘区域,设于该第一虚设扩散区域旁与该第二绝缘 区域相反之一侧。 3.如申请专利范围第2项所述之高压金氧半导体元 件,其中该高压金氧半导体元件另包含有一具有该 第一导电型的保护环状扩散区域,设置于该第三绝 缘区域下方。 4.如申请专利范围第1项所述之高压金氧半导体元 件,其中该高压金氧半导体元件另包含有一具有该 第二导电型的第二虚设扩散区域,设于该第一绝缘 区域内。 5.如申请专利范围第1项所述之高压金氧半导体元 件,其中该高压金氧半导体元件另包含有一闸极介 电层,设于该闸极与该半导体基底之间。 6.如申请专利范围第1项所述之高压金氧半导体元 件,其中该第一导电型为P型,该第二导电型为N型。 7.如申请专利范围第1项所述之高压金氧半导体元 件,其中该第一导电型为N型,该第二导电型为P型。 8.一种高压金氧半导体元件,包含有: 一具有一第一导电型的半导体基底; 一具有一第二导电型的离子井,设于该半导体基底 中; 一第一闸极,设于该半导体基底上; 一与该第一闸极相邻之第二闸极,设于该半导体基 底上; 一具有该第二导电型的汲极掺杂区域,设于该离子 井内,且该汲极掺杂区域位于该第一闸极与该第二 闸极之中间处; 一绝缘区域,设于该离子井内,且该绝缘区域位于 该汲极掺杂区域与该第一闸极之间以及位于该汲 极掺杂区域与该第二闸极之间; 复数个具有该第二导电型的虚设扩散区域,设于该 绝缘区域内;以及 一源极区域,设于该离子井内,且该源极区域位于 该第一闸极或该第二闸极旁与该绝缘区域相反的 一侧。 9.如申请专利范围第8项所述之高压金氧半导体元 件,其中该高压金氧半导体元件另包含有一第一闸 极介电层,设于该第一闸极与该半导体基底之间, 以及一第二闸极介电层,设于该第二闸极与该半导 体基底之间。 10.如申请专利范围第8项所述之高压金氧半导体元 件,其中该高压金氧半导体元件另包含有一周边绝 缘区域,设于该半导体基底中,且围绕着该高压金 氧半导体元件。 11.如申请专利范围第10项所述之高压金氧半导体 元件,其中该高压金氧半导体元件另包含有一具有 该第一导电型的保护环状扩散区域,设置于该周边 绝缘区域下方。 12.如申请专利范围第8项所述之高压金氧半导体元 件,其中该源极区域包含有一具有该第二导电型的 第一掺杂区域,其邻接一具有该第一导电型的第二 掺杂区域。 13.如申请专利范围第12项所述之高压金氧半导体 元件,其中该第一掺杂区域与该第二掺杂区域皆位 于一具有该第一导电型的第三掺杂区域内。 14.如申请专利范围第8项所述之高压金氧半导体元 件,其中该第一导电型为P型,该第二导电型为N型。 15.如申请专利范围第8项所述之高压金氧半导体元 件,其中该第一导电型为N型,该第二导电型为P型。 16.一种高压金氧半导体元件,包含有: 一半导体基底,其上设有一具有一第一导电型的离 子井; 一汲极区域,其具有该第一导电型且设于该离子井 内; 一第一绝缘区域,设于靠近该汲极区域之该半导体 基底中; 一第二绝缘区域,设于该汲极区域旁与该第一绝缘 区域相反侧之该半导体基底中; 一闸极,设于该半导体基底上,并且该闸极与一部 份的该第二绝缘区域重叠; 一源极区域,设于该闸极旁与该汲极区域相反侧之 该离子井内。 17.如申请专利范围第16项所述之高压金氧半导体 元件,其中该高压金氧半导体元件另包含有一闸极 介电层,设于该闸极与该半导体基底之间。 18.如申请专利范围第16项所述之高压金氧半导体 元件,其中该源极区域包含有一具有该第一导电型 的第一掺杂区域,其邻接一具有一第二导电型的第 二掺杂区域。 19.如申请专利范围第18项所述之高压金氧半导体 元件,其中该第一导电型为N型,该第二导电型为P型 。 20.如申请专利范围第18项所述之高压金氧半导体 元件,其中该第一导电型为P型,该第二导电型为N型 。 图式简单说明: 第1图绘示的是习知高压NMOS元件的剖面示意图。 第2图绘示的是高压金氧半导体元件的剖面示意图 。 第3图绘示的是本发明第二较佳实施例之高压NMOS 元件的剖面示意图。 第4图绘示的是本发明第三较佳实施例之高压LDMOS 元件的剖面示意图。 |
