| 发明名称 |
Verfahren zur Verbesserung einer Siliziumdioxiddeckschicht auf Halbleitergrundkoerpern |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1273956(B) |
申请公布日期 |
1968.07.25 |
| 申请号 |
DE1964K053633 |
申请日期 |
1964.07.31 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA HITACHI SEISAKUSHO |
发明人 |
TOKUYAMA TAKASHI;UEHARA KEIJIRO |
| 分类号 |
C23C8/02;C23C8/10;C23C14/58;C23C26/00;H01L23/29;(IPC1-7):01L7/62 |
主分类号 |
C23C8/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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