| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体的制作方法,包括: 提供一基底,该基底具有一沟渠,其中该沟渠将用 以形成一沟渠式元件; 于该沟渠中之该基底上形成一掺杂矽化金属层; 进行一加热制程,以于该掺杂矽化金属层下方之该 基底中形成一源极/汲极区;以及 于该掺杂矽化金属层上形成一第一导体层并填满 该沟渠。 2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制作方法,其中该掺杂矽化金属层之材质包括掺杂 矽化锗(GeSi)。 3.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制作方法,其中该掺杂矽化金属层之形成方法包括 以临场(in-situ)植入掺杂物的方式,使用低压化学气 相沈积法形成的。 4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制作方法,其中该掺杂矽化金属层之厚度介于100 -500之间。 5.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制作方法,其中该第一导体层之材质包括金属。 6.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制作方法,其中该加热制程包括快速热回火(RTA)制 程。 7.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制作方法,更包括于该掺杂矽化金属层形成前: 于该沟渠之表面上形成一第一介电层; 于该沟渠之二侧壁上形成一浮置闸极; 于该基底上形成一第二介电层;以及 移除该沟渠中之部分该第二介电层与该第一介电 层而暴露出该基底,并形成该掺杂矽化金属层于暴 露之该基底上。 8.如申请专利范围第7项所述之非挥发性记忆体的 制作方法,其中该浮置闸极之形成方法包括: 于该沟渠内填入一导体材料层;以及 图案化该导体材料层,以于该沟渠之二侧壁上形成 该浮置闸极。 9.如申请专利范围第8项所述之非挥发性记忆体的 制作方法,其中该导体材料层之材质包括掺杂多晶 矽。 10.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制作方法,更包括: 形成该第一导体层后,于该基底上形成一第三介电 层;以及 于该第三介电层上形成一第二导体层。 11.一种非挥发性记忆体,包括: 一基底,该基底中具有一沟渠; 一第一介电层,配置于该沟渠之侧壁与部分该沟渠 之底部上; 一浮置闸极,配置于该沟渠之二侧壁上,且位于该 第一介电层上; 一控制闸极,配置于该沟渠中,且该控制闸极之顶 部高于该基底之表面; 一第二介电层,配置于该对浮置闸极与该控制闸极 之间,且位于该第一介电层上; 一掺杂矽化金属层,配置于该控制闸极与该基底之 间;以及 一第一源极/汲极区,配置于该掺杂矽化金属层下 方之该基底中。 12.如申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体, 其中该掺杂矽化金属层之材质包括掺杂矽化锗。 13.如申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体, 其中该掺杂矽化金属层之厚度介于100-500之间 。 14.如申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体, 其中该控制闸极之材质包括金属。 15.如申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体, 更包括: 一第三介电层,配置于该基底上并覆盖该控制闸极 ;以及 一导体层,位于该第三介电层上。 16.如申请专利范围第15项所述之非挥发性记忆体, 其中该导体层配置于该控制闸极之高于该基底之 表面之侧壁。 17.如申请专利范围第16项所述之非挥发性记忆体, 更包括一第二源极/汲极区,配置于该导体层二侧 之该基底中。 18.如申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体, 其中该浮置闸极之材质包括掺杂多晶矽。 19.如申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体, 其中该第一介电层之材质包括氧化矽(SiO2)。 20.如申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体, 其中该第二介电层之材质包括氧化矽。 21.如申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体, 其中该第三介电层之材质包括氧化矽。 图式简单说明: 图1为习知一种沟渠式元件之剖面示意图。 图2A至图2G为依照本发明实施例所绘示的非挥发性 记忆体之制作流程剖面图。 |
