| 发明名称 | 防止击穿的半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种防止击穿的半导体元件，此防止击穿的半导体元件包括一基底、多个沟槽式元件以及至少一隔离区域。沟槽式元件位于基底中，其中沟槽式元件包括一源极/漏极区，此源极/漏极区配置于沟槽式元件的底部。隔离区域配置于基底中，且位于每一个沟槽式元件的源极/漏极区之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1917170A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN200510089499.9 | 申请日期 | 2005.08.19 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 赖亮全;王炳尧 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种防止击穿的半导体元件的制造方法，包括：提供一基底；于该基底上形成一绝缘层；图案化该绝缘层，以形成多个隔离区域；于基底上形成一硅层，并覆盖该些隔离区域；于相邻二隔离区域之间的该硅层中形成多个沟槽；以及于每一该些沟槽中形成一沟槽式元件，其中该沟槽式元件包括一源极/漏极区，形成于该沟槽下方的该硅层中且位于相邻二隔离区域之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||