| 发明名称 | 于基板上形成多晶硅层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种于基板上形成多晶硅层的方法，该方法主要包括下列步骤：最初，将惰性气体注入基板中，使基板中产生多个孔隙。接着，沉积缓冲层于基板上方。然后，沉积非晶硅层于缓冲层上方。最后，提供热量给非晶硅层，使非晶硅层成为多晶硅层。本发明的方法可以使由非晶硅形成的多晶硅能够具有较大的硅晶粒尺寸，使薄膜晶体管阵列的电子迁移率得以被有效提高。本发明的方法可用于薄膜晶体管液晶显示器的制造工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1301535C | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN03143605.6 | 申请日期 | 2003.07.25 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 张茂益 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种于基板上形成多晶硅层的方法，至少包括：将一惰性气体注入一基板中，使该基板中产生多个孔隙；沉积一缓冲层于该基板上方；沉积一非晶硅层于该缓冲层上方；以及提供一热量给该非晶硅层，使该非晶硅层成为一多晶硅层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||