| 发明名称 | 薄膜晶体管基板及其制造 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有半导体层的薄膜晶体管基板，该半导体层包括低浓度区和与在由多晶硅构成的沟道区两侧的低浓度区相邻的源区/漏区；栅极绝缘层和导体层，其位于基板上，图样化导体层以形成栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1917155A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN200610109256.1 | 申请日期 | 2006.08.03 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金一坤;朴泰炯;文国哲;金喆镐;金京勋;金修京 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李伟 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管(TFT)基板的制造方法，包括：设置具有半导体层的基板，所述半导体层包括低浓度区以及与在由多晶硅构成的沟道区两侧的所述低浓度区相邻的源区/漏区；以及在所述基板上顺序地形成栅极绝缘层和导电层，并且图样化所述导电层以形成栅电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||