发明名称 |
半导体元件的制造方法 |
摘要 |
一种半导体元件的制造方法,此方法先于基底上形成多个隔离结构以定义出有源区。然后,于有源区的基底中形成多个元件结构,这些元件结构的顶部高于基底表面。接着,于元件结构的表面形成绝缘层。之后,于基底上依序形成导体层与材料层,覆盖绝缘层与裸露的基底,其中此材料层具有流动性。继之,进行第一蚀刻步骤,移除材料层与部分的导体层。然后,于基底上形成绝缘材料层。之后,对绝缘材料层进行第二蚀刻工艺,以形成一对导体间隙壁。 |
申请公布号 |
CN1917172A |
申请公布日期 |
2007.02.21 |
申请号 |
CN200510092040.4 |
申请日期 |
2005.08.16 |
申请人 |
力晶半导体股份有限公司 |
发明人 |
简财源;赖亮全 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01);H01L21/8239(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1、一种半导体元件的制造方法,包括:提供一基底,该基底至少包括:多个隔离结构配置于该基底上,其中该些隔离结构定义出一有源区,并且该些隔离结构的顶部高于该基底表面;多个元件结构位于该有源区的该基底中,其中该些元件结构的顶面高于该些隔离结构的顶面;以及一绝缘层覆盖该些元件结构;于该基底上形成一第一导体层,覆盖该绝缘层与该基底;于该第一导体层上形成一材料层,其中该材料层具有流动性;进行一第一蚀刻步骤,移除该材料层与部分该第一导体层;于该基底上形成一绝缘材料层,覆盖保留下来的该第一导体层;以及对该绝缘材料层进行一第二蚀刻步骤,以形成一导体间隙壁。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |