形成埋入式掺杂区的方法

摘要

一种埋入式掺杂区的形成方法，包括：首先提供一基底，在基底上形成第一绝缘层。之后，图案化第一绝缘层以形成往第一方向延伸的开口，在开口所暴露的基底中形成埋入式掺杂区。然后，在基底上形成第二绝缘层，此第二绝缘层填满开口，并与第一绝缘层构成为第三绝缘层。然后，图案化第三绝缘层以形成一隔离层，并暴露基底及埋入式掺杂区，此隔离层往第二方向延伸，而第二方向与第一方向交错。在基底上形成半导体层填满隔离层两侧区域。本发明因先形成埋入式掺杂区，再于其上形成隔离层，故可降低注入离子的能量。

主权项

1、一种埋入式掺杂区的形成方法，该方法包括：提供一基底；在该基底上形成一第一绝缘层；图案化该第一绝缘层以形成暴露该基底的一开口，该开口往一第一方向延伸；在该开口所暴露的该基底中形成一埋入式掺杂区；在该基底上形成填满该开口的一第二绝缘层，该第二绝缘层与第一绝缘层构成一第三绝缘层；图案化该第三绝缘层以形成一隔离层，并暴露出部分该基底及该埋入式掺杂区，该隔离层往一第二方向延伸，该第二方向与该第一方向交错；以及在该基底上形成一半导体层。