用于4.5F2动态随机存取记忆体单元之双侧环绕存取电晶体

摘要

本发明系关于一种具有一接地闸极之隔离电晶体，其形成于一第一存取电晶体构造与一第二存取电晶体构造之间，以便提供一记忆体装置之该等存取电晶体结构之间的隔离。在一实施例中，该等存取电晶体结构为凹入式存取电晶体。在一实施例中，该记忆体装置为一动态随机存取记忆体(DRAM)。在另一实施例中，该记忆体装置为一4.5F2动态随机存取记忆体单元。