半导体晶圆及半导体装置之制造方法

摘要

本发明在Si基板11上形成渐变SiGe缓冲层12和SiGe缓冲层13，在其上于临界膜厚以下形成应变Si层14，以降低施加于应变Si层14和SiGe缓冲层13之界面的应力，实现结晶缺陷密度小的应变Si层14，再者，藉由以晶格常数大于Si的SiGe覆盖层21覆盖应变Si层14表面，防止后步骤中牺牲氧化所导致的应变Si层14消失，实现可于其上形成闸极氧化膜的高品质应变Si晶圆。