发明名称 半导体装置以及制造该半导体装置之方法
摘要 本发明系提供一种半导体装置,包括:形成于半导体基板(10)中之位元线(14);第一互连线(24),设置于该位元线(14)上方并且连接至该位元线(14);以及第二互连线(30),设置于该第一互连线(24)上方并且连接至该第一互连线(24)及位于周边区域(52)中之电晶体。该第一互连线(24)系仅经由该第二互连线(30)而连接至该电晶体。
申请公布号 TW200707642 申请公布日期 2007.02.16
申请号 TW095118976 申请日期 2006.05.29
申请人 史班逊股份有限公司 发明人 井上阳子
分类号 H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国