金属材料用蚀刻剂组成物及用它之半导体装置之制法

摘要

提供一种蚀刻剂组成物及使用其之半导体装置之制造方法，藉此，能够选择性、且有效率地蚀刻金属材料，该蚀刻剂组成物系在制造由高介电常数绝缘材料、矽的氧化膜或氮化膜所构成的绝缘材料、以及金属材料所构成的半导体装置时，选择性地蚀刻金属材料时所使用的蚀刻剂组成物，含有氟化合物及分子结构中具有以磷元素的含氧酸作为官能基钳合剂之水溶液，或是含有氟化合物、分子结构中具有以磷元素的含氧酸作为官能基钳合剂以及无机酸及／或有机酸之水溶液。