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发明名称
半导体晶圆之制造方法及制造装置
摘要
本发明是关于一种半导体晶圆之制造方法及其制造装制的发明,藉由本发明,当对半导体晶圆基板进行热处理时,使其在移载制程的阶段不产生翘曲,使半导体晶圆的品质乃至于由此所制造出来的半导体元件的品质为高品质。在本发明中,晶圆正面温度和晶圆背面温度的温度差到达最大值的时序、在晶圆上产生翘曲的时序为,和提升销或承座接触之前(到达红外线温度区域的上限值600℃的时点之后的期间),执行移载装置的移载处理,使提升销和晶圆背面接触。
申请公布号
TW200707551
申请公布日期
2007.02.16
申请号
TW095124462
申请日期
2006.07.05
申请人
小松电子金属股份有限公司
发明人
那须悠一;加藤裕孝;楢原和宏;松永秀幸
分类号
H01L21/205(2006.01);H01L21/68(2006.01)
主分类号
H01L21/205(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
日本
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