有着一ONO上介电层之非挥发记忆半导体元件NON-VOLATILE MEMORY SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN OXIDE-NITRIDE -OXIDE (ONO) TOP DIELECTRIC LAYER

摘要

一种非挥发记忆(NVM)细胞，包含一矽基材含有一主要表面，一源极区域位于该矽基材中的一部份，一汲极区域位于该矽基材中的一部份，以及一井区域(wellregion)位于该矽基材中的一部份并介于该源极和该汲极区域之间。该细胞包含一底部氧化层形成于该基材之该主要表面上。该底部氧化层位于接近该井区域之该主要表面上。该细胞包含一电荷储存层位于该底部氧化层之上，一介电穿遂层位于该电荷储存层之上，且一控制闸极形成于该介电穿遂层之上。该介电穿遂层包含一第一氧化层，一氮化层和一第二氧化层。该非挥发记忆(NVM)细胞之抹除，包含施加一正闸极电压使电洞自该闸极注入。