Captador de efecto Hall constituido por una estructura multicapa que comprende una capa delgada activa depositada sobre un substrato (10), caracterizado porque el substrato (10) es de carburo de silicio monocristalino y porque la capa activa (14) está constituida por un material semi-conductor de tipo n- o p- dopado a una tasa inferior a 5.1015 cm-3 en régimen de agotamiento.
申请公布号
ES2265440(T3)
申请公布日期
2007.02.16
申请号
ES20010967405T
申请日期
2001.08.30
申请人
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)