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Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats(1; 1') mit einem aktiven Bereich (4; 4') mit einer freiliegenden Oberseite (O; O'); Bilden von mindestens einem an den aktiven Bereich (4; 4') angrenzenden STI-Graben (5a, 5b; 5a', 5b') mit einer isolierenden Füllung (9; 9'), die sich bis oberhalb der Oberseite (O; O') des aktiven Bereichs (4; 4') erstreckt; Bilden von einem STI-Grübchen (D1, D2; D1', D2') in der isolierenden Füllung (9; 9'), welches an den aktiven Bereich (4; 4') angrenzt und eine Kante (K; K') der freiliegenden Oberseite (O; O') des aktiven Bereichs (4; 4') freilegt; Bilden einer Wasserstoffterminierung der freiliegenden Oberseite (O; O') des aktiven Bereichs (4; 4'); und Durchführen einer Temperung in Wasserstoffatmosphäre zum Bilden einer Verrundung (KV; KV') aus der Kante (K; K') des aktiven Bereichs (4; 4'), derart, dass die Oberseite (O; O') des aktiven Bereichs (4; 4') stetig in das STI-Grübchen (D1, D2; D1', D2') übergeht.
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