发明名称 |
多元氧化物薄膜晶粒大小控制方法 |
摘要 |
多元氧化物薄膜晶粒大小控制方法,涉及一种多元氧化物薄膜制备技术,特别是一种控制薄膜晶粒大小,实现生长的薄膜晶粒大小符合实际需要的方法,属于薄膜材料领域。本发明提供一种在制备多元氧化物薄膜时,对薄膜晶粒大小的控制方法,使生长的薄膜晶粒大小符合实际需要。本发明通过调整晶粒成核温度的保持时间与晶粒长大温度保持时间的比值来控制薄膜晶粒大小,晶粒粒径与比值负相关。发明的有益效果是,采用本发明的控制方法,能够满足不同需求,制备不同大小的晶粒,使粒径大小处于完全可控的状态。根据电子器件结构要求,设计特定的热处理工艺路线,能够得到晶粒大小符合器件结构设计要求的多元氧化物薄膜。 |
申请公布号 |
CN1912172A |
申请公布日期 |
2007.02.14 |
申请号 |
CN200510021463.7 |
申请日期 |
2005.08.12 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
张树人;刘敬松;杨成韬;袁颖 |
分类号 |
C23C14/08(2006.01);C23C14/58(2006.01);C23C16/40(2006.01);C23C16/56(2006.01);H01L21/324(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/08(2006.01) |
代理机构 |
成都虹桥专利事务所 |
代理人 |
刘勋 |
主权项 |
1、多元氧化物薄膜晶粒大小控制方法,其特征在于,通过调整晶粒成核温度的保持时间与晶粒长大温度保持时间的比值来控制薄膜晶粒大小,晶粒粒径与比值负相关。 |
地址 |
610054四川省成都市建设北路一段4号 |