发明名称 |
可变存储区结构和磁道间距的磁盘驱动器的制造方法 |
摘要 |
一种可变存储区结构和磁道间距的磁盘驱动器的制造方法,该磁盘驱动器包括一个具有两个磁面的磁盘和从两个磁面进行读写操作的。本方法包括利用读/写传感器决定磁道宽度的性能特性,建立一系列的性能组的性能特性范围。性能特性是利用磁盘驱动器的第一和第二读/写传感器之一测量出来的,并且第一和第二传感器在性能特性范围内被分离开来管理不同的范围。其性能特性的测试可通过光学或电学器件来完成。 |
申请公布号 |
CN1300772C |
申请公布日期 |
2007.02.14 |
申请号 |
CN02151936.6 |
申请日期 |
2002.11.05 |
申请人 |
深圳易拓科技有限公司 |
发明人 |
布鲁斯·依莫;布来恩·威尔逊 |
分类号 |
G11B5/56(2006.01);G11B5/09(2006.01);G11B5/55(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/56(2006.01) |
代理机构 |
深圳创友专利商标代理有限公司 |
代理人 |
彭家恩 |
主权项 |
1.一种可变存储区结构和磁道间距的磁盘驱动器的制造方法,其中包括一磁盘,其具有第一和第二磁表面和从上述的磁表面进行读/写信息的第一和第二读/写传感器,本方法是用以下步骤完成的:(a)利用磁盘驱动的读/写传感器确定出磁道宽度的性能特性;(b)以存储区将磁道分组,确立每组磁道的磁道宽度性能组及性能组的范围;(c)再利用步骤(a)中读/写传感器测量出的磁道性能特性,决定出可测量的磁道宽度的性能特性的值;(d)比较在步骤(c)中的磁道宽度的性能特性的值与步骤(b)中各性能组的范围,用以确定这个磁道宽度的性能特性是否位于已建立的一组性能特性中;(e)重复步骤(c)和(d),直到两个独立的读/写传感器都有一个磁道宽度性能特性的值是位于步骤(b)的性能组中;(f)使用在步骤(e)中的一个读/写传感器作为第一读/写传感器,另一个读/写传感器作为第二读/写传感器装配磁盘驱动器。 |
地址 |
518035广东省深圳市福田区彩田路7006工业区厂房4、5层 |