在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法

摘要

一种能够在氧化硅的存在下选择性地蚀刻氮化硅，从而在稳定氧化硅蚀刻速率的同时提供高选择性的系统(图5)和方法。本发明包括处理室(10)，分配管道(20，21，22)，加入管道(30，31，32)，回流管道(40)，过程控制器(200)，浓度传感器(50)，颗粒计数器(55)和排出管道(90)。本发明在处理至少一个基片的过程中动态地控制所用蚀刻剂组分的浓度比和/或动态地控制蚀刻剂中的颗粒数。结果可以延长蚀刻剂浴寿命，而且可以更严格地控制蚀刻过程的参数。

主权项

1.一种从至少一个基片上蚀刻氮化硅的方法，该方法包括：提供闭合回路循环系统，该系统包括处理室和与处理室流体连接的回流管道；向所述闭合回路循环系统提供预定量的硫酸、磷酸和水，形成具有预定浓度比和预定体积的混合物，该混合物填充处理室，且溢流进入回流管道；将至少一个基片浸没在处理室内的混合物中；使所述混合物循环通过所述闭合回路循环系统；用浓度传感器连续测量所述混合物的浓度比；将测得的浓度比与预定的浓度值相比较，以确定测得的浓度值是否在预定浓度比的预定范围之内；当确定测得的浓度比不在预定浓度比的预定范围之内时，自动向所述闭合回路循环系统加入一定体积的硫酸、磷酸和/或水，同时使基本上相同体积的混合物从闭合回路循环系统中流出，从而使得混合物的浓度比在处理所述至少一个基片的过程中回到预定范围内。