| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，其在半导体基板上形成有耐压不同的第1元件和第2元件。更具体而言，该半导体装置包括：半导体基板；第1区域，是该半导体基板上的区域，其具有由在形成于该半导体基板上的沟槽内埋入了绝缘物的元件分离部所分离的第1元件形成区域；第1元件，形成在所述第1元件形成区域；第2区域，是所述半导体基板上的与所述第1区域不同的区域，其具有第2元件形成区域；和第2元件，其形成在所述第2元件形成区域，具有在栅电极的边缘部上配置了比栅极绝缘膜厚的LOCOS氧化膜的漂移漏极构造，并且具有比所述第1元件高的耐压。 | ||
| 申请公布号 | CN1910747A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200580002650.9 | 申请日期 | 2005.08.03 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 山中贵光 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L27/08(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：半导体基板；第1区域，是该半导体基板上的区域，其具有由在形成于该半导体基板上的沟槽内埋入了绝缘物的元件分离部所分离的第1元件形成区域；第1元件，形成在所述第1元件形成区域；第2区域；是所述半导体基板上的与所述第1区域不同的区域，其具有第2元件形成区域；和第2元件，其形成在所述第2元件形成区域，具有在栅电极的边缘部上配置了比栅极绝缘膜厚的LOCOS氧化膜的漂移漏极构造，并具有比所述第1元件高的耐压。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||