| 发明名称 | 纳米孔型聚甲基硅氧烷低介电常数材料及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种纳米孔型聚甲基硅氧烷低介电常数材料，是以网络状硅氧四面体为主体、厚度为500～1500nm、含有硅片层和聚甲基硅氧烷薄膜层，所述薄膜层中含有孔洞，孔径为8～12nm，空隙率为12～30％，介电常数为2.5～2.1；本发明还涉及所述低介电常数材料的制备方法；所述材料适用单层、双层或者多层芯片金属互连线路间的绝缘材料。可降低多层芯片铜走线互连导线中的电阻和互连层间的电容；材料的机械性能和加工性能优于传统的CVD二氧化硅，可耐受化学机械抛光。 | ||
| 申请公布号 | CN1909116A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200610036626.3 | 申请日期 | 2006.07.21 |
| 申请人 | 暨南大学 | 发明人 | 陈宏基 |
| 分类号 | H01B3/46(2006.01);C08L83/04(2006.01);C08J5/18(2006.01);H01L21/312(2006.01);H01L21/768(2006.01);B82B1/00(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01B3/46(2006.01) |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 何淑珍 |
| 主权项 | 1.一种纳米孔型聚甲基硅氧烷低介电常数材料，其特征在于以网络状硅氧四面体为主体、厚度为500～1500nm、含有硅片层和聚甲基硅氧烷薄膜层，所述薄膜层中含有孔洞，孔径为8～12nm，空隙率为12～30％，介电常数为2.5～2.1。 | ||
| 地址 | 510632广东省广州市天河区石牌暨南大学 | ||