| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底，栅极绝缘层，栅电极，氧化层和侧壁。该栅极绝缘层形成在衬底上。该栅电极包括层叠在栅极绝缘层上的上层和下层。该氧化层形成在栅电极上。该侧壁形成在氧化层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1909244A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200610094095.3 | 申请日期 | 2006.06.22 |
| 申请人 | 东部电子有限公司 | 发明人 | 文在渊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/40(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李涛;钟强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的栅极绝缘层；包括层叠在栅极绝缘层上的上层和下层的栅电极；形成在栅电极上的氧化层；和形成在电极侧的侧壁。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||