| 发明名称 | 一种侧墙制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种侧墙制作方法，包括以下步骤，首先生长二氧化硅薄膜；再生长氮化硅薄膜；第三步，侧墙刻蚀；第四步，重复步骤二和三，直至获得宽度为500－800埃的“D”形状的侧墙。本发明公开了一种侧墙制作方法，在硅片表面生长二氧化硅薄膜之后，重复第二步的在二氧化硅薄膜上面生长氮化硅薄膜，以及第三步的侧墙刻蚀，可以在0.13微米以下的工艺中，可以得到理想的侧墙形貌。 | ||
| 申请公布号 | CN1909195A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200510028536.5 | 申请日期 | 2005.08.05 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 周贯宇;陈华伦;钱文生;陈晓波;郭永芳 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种侧墙制作方法，其特征在于，包括以下步骤，第一步，在硅片表面生长二氧化硅薄膜；第二步，在二氧化硅薄膜上面生长氮化硅薄膜；第三步，侧墙刻蚀；第四步，重复步骤二和三，直至获得宽度为500-800埃的“D”形状侧墙。 | ||
| 地址 | 201206上海市川桥路1188号718 | ||