| 发明名称 | 微电子衬底的湿法蚀刻处理用旋涂保护涂层 | ||
| 摘要 | 提供在半导体和MEMS器件制造中用于湿法蚀刻工艺的新的保护涂层。该涂层包括底涂层、第一保护层和可任选的第二保护层。底涂层较佳地包括在溶剂体系中的芳族硅烷。第一保护层包括由苯乙烯、丙烯腈和(甲基)丙烯酸酯单体、乙烯基苄基氯和马来酸或富马酸的二酯等可任选的其它可加成聚合的单体制备的热塑性共聚物。第二保护层含有加热时会或者不会交联的诸如氯代聚合物之类的高度卤代的聚合物。 | ||
| 申请公布号 | CN1909977A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200580002565.2 | 申请日期 | 2005.01.07 |
| 申请人 | 布鲁尔科技公司 | 发明人 | 李成红;K·A·鲁本;T·D·弗莱 |
| 分类号 | B05D1/36(2006.01);B05D1/38(2006.01);B32B9/04(2006.01);B32B15/04(2006.01);B32B15/08(2006.01);B32B17/10(2006.01) | 主分类号 | B05D1/36(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 郭辉 |
| 主权项 | 1.一种微电子结构，其特征在于，它包括：微电子衬底表面；和邻接所述衬底表面的第一保护层，所述第一保护层含有包含通式分别为<img file="A2005800025650002C1.GIF" wi="944" he="587" />和<img file="A2005800025650002C2.GIF" wi="782" he="381" />的重复单体的聚合物，其中：每个R<sup>1</sup>独立地选自氢和C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>的烷基；而且，每个R<sup>2</sup>独立地选自氢、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>的烷基和C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>的烷氧基，所述涂层本质上是绝缘的。 | ||
| 地址 | 美国密苏里州 | ||