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发明名称 Non volatile memory devices having a three-transistor memory cell and methods of fabricating the same
摘要
申请公布号 KR100678479(B1) 申请公布日期 2007.02.02
申请号 KR20050065914 申请日期 2005.07.20
申请人 发明人
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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