| 主权项 |
1.一种由下式1表示之铋化合物, 其中R1系表示C1-6烷基;R2系表示C1-6烷基、C1-6烷氧 基、C1-6醯基、C1-6烷氧羰基、C1-6卤代烷基或卤素; n1系表示在0至4范围内之取代基R2的数目;且R3至R6 各系表示氢、C1-6烷基、或C1-6卤代烷基。 2.如申请专利范围第1项之铋化合物,其中R1系表示 甲基;R2系表示具有1至2碳原子之烷基;R3及R4各表示 氢或具有1至2碳原子之烷基;且R5及R6系各表示具有 1至2碳原子之烷基。 3.如申请专利范围第2项之铋化合物,其中R1系表示 甲基;R3及R4各表示氢;R5及R6系各表示甲基;且n1系为 0。 4.一种制造如申请专利范围第1至3项中任一项之铋 化合物的方法,其包含使下式2所示之单烷基二卤 代铋 其中R2系表示C1-6烷基、C1-6烷氧基、C1-6醯基、C1-6 烷氧羰基、C1-6卤代烷基或卤素;n1系表示在0至4范 围内之取代基R2的数目;R3至R6各系表示氢、C1-6烷 基、或C1-6卤代烷基;且Z1系表示卤素, 与R1-转化试剂反应,其中R1系表示C1-6烷基。 5.一种制造如申请专利范围第1至3项中任一项之铋 化合物的方法,其包含使下式3所示之二烷基单卤 代铋: 其中R1系表示C1-6烷基;且Z1系表示卤素, 与下式4所示之芳基化试剂反应: 其中R2之系表示C1-6烷基、C1-6烷氧基、C1-6醯基、C1 -6烷氧羰基、C1-6卤代烷基或卤素;n1系表示在0至4 范围内之取代基R2的数目;R3至R6各系表示氢、C1-6 烷基、或C1-6卤代烷基;且Q1系表示锂、钠、钾、 MgCl、MgBr或MgI中之任一种。 6.如申请专利范围第4项之制造铋化合物的方法,其 中R1系表示甲基;R2系表示具有1至2碳原子之烷基;R3 及R4各表示氢或具有1至2碳原子之烷基;且R5及R6系 各表示具有1至2碳原子之烷基。 7.如申请专利范围第4项之制造铋化合物的方法,其 中式2所示之单芳基二卤代铋系为二氯(2-(N,N-二甲 基胺基甲基)苯基)铋。 8.如申请专利范围第4项之制造铋化合物的方法,其 中R1-转化试剂系为溴化甲基镁。 9.一种制造含铋之膜的方法,其包含使作为前驱物 之如申请专利范围第1、2或3项之铋化合物化学气 相沉积于基材上,以形成含铋之膜。 图式简单说明: 图1系为显示实施例5之TG曲线的图。 图2系为显示实施例6之DSC曲线的图。 图3系为显示实施例7之TG曲线的图。 图4系为显示实施例8之DSC曲线的图。 图5系为显示实施例9之TG曲线的图。 图6系为显示实施例6之DSC曲线的图。 图7系为显示实施例11之TG曲线的图。 图8系为显示实施例12之DSC曲线的图。 图9系为显示对照例1之TG曲线的图。 图10系为显示对照例2之DSC曲线的图。 图11系为显示对照例3之TG曲线的图。 图12系为显示实施例13及14所使用之CVD装置的图。 图13系为显示二(3-甲苯基)(2-(N,N-二甲基胺基甲基) 苯基)铋之单晶的X-射线结构之图。 图14系为显示实施例15所使用之CVD装置的图。 |
