发明名称 覆晶封装结构
摘要 一种覆晶封装结构主要系将晶片与散热块之间藉由凸块连接。晶片于主动表面与背面皆配置有球底金属层以及凸块,配置于主动表面上之球底金属层及凸块系用以与承载基材上之接点电性连接,而配置于晶片背面之球底金属层及凸块系用以与散热块连接,以达到良好的散热效果。
申请公布号 TWI272704 申请公布日期 2007.02.01
申请号 TW091101429 申请日期 2002.01.29
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 方仁广
分类号 H01L23/36(2006.01) 主分类号 H01L23/36(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种覆晶封装结构,包括: 一印刷电路板,该印刷电路板上配置有复数个接点 ; 一晶片,配置于该印刷电路板上方,该晶片具有一 主动表面与一背面,其中该主动表面上具有复数个 焊垫以及一保护层,该保护层覆盖于该主动表面上 并将该些焊垫暴露; 复数个第一球底金属层,配置于该些焊垫上; 复数个第一凸块,配置于该些第一球底金属层与该 些接点之间; 复数个第二球底金属层,配置于该晶片之该背面上 ,其中该些第二球底金属层系局部性分布在该晶片 之该背面上; 一散热块,配置于该晶片之该背面上方;以及 复数个第二凸块,配置于该些第二球底金属层与该 散热块之间,以将该晶片及该散热块连接。 2.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中 该印刷电路板与该晶片之间更配置有一填胶,该填 胶系用以将该些第一凸块包覆。 3.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中 该些第一凸块系为锡铅凸块。 4.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中 该些第二凸块系为锡铅凸块。 5.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中 该散热块之热膨胀系数与该晶片之热膨胀系数相 同。 6.一种覆晶封装结构,包括: 一承载基材,该承载基材具有一第一表面与一第二 表面,其中该第一表面上具有复数个第一接点,而 该第二表面上具有复数个第二接点; 一晶片,配置于承载基材上方,该晶片具有一主动 表面与一背面,其中该主动表面上具有复数个焊垫 以及一保护层,该保护层覆盖于该主动表面上并将 该些焊垫暴露; 复数个第一球底金属层,配置于该些焊垫上; 复数个第一凸块,配置于该些第一球底金属层与该 些第一接点之间; 复数个第二球底金属层,配置于该晶片之该背面上 ,其中该些第二球底金属层系局部性分布在该晶片 之该背面上; 一散热块,配置于该晶片之该背面上方; 复数个第二凸块,配置于该些第二球底金属层与该 散热块之间,以将该晶片及该散热块连接; 一印刷电路板,配置于该承载基材下方,该印刷电 路板上配置有复数个第三接点;以及 复数个焊球,配置于该承载基材与该印刷电路板之 间,以将该些第二接点与该些第三接点电性连接。 7.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装结构,其中 该印刷电路板与该晶片之间更配置有一填胶,该填 胶系用以将该些第一凸块包覆。 8.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装结构,其中 该些第一凸块系为锡铅凸块。 9.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装结构,其中 该些第二凸块系为锡铅凸块。 10.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装结构,其 中该些焊球之材质系为锡铅合金。 11.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装结构,其 中该散热块之热膨胀系数与该晶片之热膨胀系数 相同。 12.一种具有散热块之元件,适于配置于一承载基材 上,该元件包括: 一晶片,具有一主动表面与一背面,其中该主动表 面上具有复数个焊垫以及一保护层,该保护层覆盖 于该主动表面上并将该些焊垫暴露; 复数个第一球底金属层,配置于该些焊垫上; 复数个第一凸块,配置于该些球底金属层上; 一散热块,配置于该晶片之该背面上方;以及 复数个第二球底金属层,配置于该晶片之该背面上 ,其中该些第二球底金属层系局部性分布在该晶片 之该背面上;以及 复数个第二凸块,配置于该些第二球底金属层与该 散热块之间,以将该晶片及该散热块连接。 13.如申请专利范围第12项所述之具有散热块之元 件,其中该些凸块系为锡铅凸块。 14.如申请专利范围第12项所述之具有散热块之元 件,其中该散热块之热膨胀系数与该晶片之热膨胀 系数相同。 15.一种具有散热块之晶片结构,包括: 一晶片,该晶片具有一主动表面及对应之一背面, 该晶片之该主动表面上配置有复数个焊垫; 一散热块,配置在靠近该晶片之该背面的一侧; 复数个球底金属层,配置于该晶片之该背面上,其 中该些球底金属层系局部性分布在该晶片之该背 面上;以及 复数个凸块,配置在该些球底金属层与该散热块之 间,使该晶片与该散热块连接。 16.如申请专利范围第15项所述之具有散热块之晶 片结构,其中该些凸块系为锡铅凸块。 17.如申请专利范围第15项所述之具有散热块之晶 片结构,其中该散热块之热膨胀系数与该晶片之热 膨胀系数相同。 图式简单说明: 第1图绘示为习知覆晶式组装之剖面示意图; 第2图绘示为习知覆晶式构装之剖面示意图; 第3图绘示为依照本发明一较佳实施例于散热块上 制作凸块而与覆晶晶片背面连接之示意图; 第4图绘示为依照本发明一较佳实施例于覆晶晶片 背面制作凸块而与散热块连接之示意图; 第5图绘示为依照本发明一较佳实施例覆晶晶片藉 由凸块而与散热块连接之示意图; 第6图绘示为依照本发明一较佳实施例覆晶式组装 之剖面示意图;以及 第7图绘示为依照本发明一较佳实施例覆晶式构装 之剖面示意图。
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