| 主权项 |
1.一种有机场效电晶体,该有机场效电晶体在具有 绝缘表面的基底之上,包含: 闸电极; 与该闸电极接触而形成的闸绝缘膜; 与该闸绝缘膜接触而形成的有机半导体膜;以及 与该有机半导体膜接触而形成的至少一对源-汲极 , 其中在该有机半导体膜系环绕载子产生电极。 2.一种有机场效电晶体,包括: 在基底之上与绝缘表面接触而形成的第一闸电极; 与该第一闸电极接触而形成的第一闸绝缘膜; 与该第一闸绝缘膜接触而形成的第一源极和第一 汲极; 与该第一源极、该第一汲极和该第一闸绝缘膜接 触而形成的有机半导体膜; 在该有机半导体膜内的载子产生电极; 与该有机半导体膜接触而形成的第二源极和第二 汲极; 与该有机半导体膜接触而形成的第二闸绝缘膜;以 及 与该第二闸绝缘膜接触而形成的第二闸电极。 3.一种有机场效电晶体,包括: 在基底之上与绝缘表面接触而形成的第一闸极; 与该第一闸电极接触而形成的第一闸绝缘膜; 与该第一闸绝缘膜接触而形成的第一源极和第一 汲极; 与该第一源极、该第一汲极和该第一闸绝缘膜接 触而形成的第一有机半导体膜; 与该第一有机半导体膜接触而形成的载子产生电 极; 与该载子产生电极接触而形成的第二有机半导体 膜; 与该第二有机半导体膜接触而形成的第二源极和 第二汲极; 与该第二有机半导体膜接触而形成的第二闸绝缘 膜;以及 与该第二闸绝缘膜接触而形成的第二闸电极。 4.根据申请专利范围第3项的有机场效电晶体,其中 第一有机半导体膜是可传输的电洞,第二有机半导 体膜可传输电子。 5.根据申请专利范围第3项的有机场效电晶体,其中 第一有机半导体膜是可传输电子的,第二有机半导 体膜是可传输电洞的。 6.根据申请专利范围第2项的有机场效电晶体,其中 连接第一源极和第二源极。 7.根据申请专利范围第3项的有机场效电晶体,其中 连接第一源极和第二源极。 8.根据申请专利范围第2项的有机场效电晶体,其中 连接第一汲极和第二汲极。 9.根据申请专利范围第3项的有机场效电晶体,其中 连接第一汲极和第二汲极。 10.一种有机场效电晶体,包括: 在基底之上与绝缘表面接触而形成的第一闸电极; 与该第一闸电极接触而形成的第一闸绝缘膜; 与该第一闸绝缘膜接触而形成的第一电极; 与该第一电极和该第一闸绝缘膜接触而形成的有 机半导体膜; 在该有机半导体膜内插入的载子产生电极; 与该有机半导体膜接触而形成的第二电极; 与该有机半导体膜接触而形成的第二闸绝缘膜;以 及 与该第二闸绝缘膜接触而形成的第二闸电极。 11.一种有机场效电晶体,包括: 在基底之上与绝缘表面接触而形成的第一闸电极; 与该第一闸电极接触而形成的第一闸绝缘膜; 与该第一闸绝缘膜接触而形成的第一电极; 与该第一电极和该第一闸绝缘膜接触而形成的第 一有机半导体膜; 与该第一有机半导体膜接触而形成的载子产生电 极; 与该载子产生电极接触而形成的第二有机半导体 膜; 与该第二有机半导体膜接触而形成的第二电极; 与该第二有机半导体膜接触而形成的第二闸绝绿 膜;以及 与该第二闸绝缘膜接触而形成的第二闸电极。 12.根据申请专利范围第11项的有机场效电晶体,其 中第一有机半导体膜可传输电洞,第二有机半导体 膜可传输电子。 13.根据申请专利范围第11项的有机场效电晶体,其 中第一有机半导体膜可传输电子,第二有机半导体 膜可传输电洞。 14.根据申请专利范围第1项的有机场效电晶体,其 中载子产生电极包括注入电子的电极和注入电洞 的电极的至少两层。 15.根据申请专利范围第2项的有机场效电晶体,其 中载子产生电极包括注入电子的电极和注入电洞 的电极的至少两层。 16.根据申请专利范围第3项的有机场效电晶体,其 中载子产生电极包括注入电子的电极和注入电洞 的电极的至少两层。 17.根据申请专利范围第10项的有机场效电晶体,其 中载子产生电极包括注入电子的电极和注入电洞 的电极的至少两层。 18.根据申请专利范围第11项的有机场效电晶体,其 中载子产生电极包括注入电子的电极和注入电洞 的电极的至少两层。 19.一种有机场效电晶体,包含: 基底; 闸极; 经形成而与该闸极接触之闸极绝缘膜; 有机半导体膜,包含经形成而与该闸极绝缘膜接触 的有机半导体材质; 至少一对源极-汲极,经形成为与该有机半导体膜 接触;以及 载子产生电极,经形成为与该有机半导体膜接触, 其中,该载子产生电极系与该源极-汲极分离。 20.如申请专利范围第19项之有机场效电晶体,其中 该载子产生电极包括两层之电子植入电极以及电 洞植入电极。 21.如申请专利范围第19项之有机场效电晶体,其中 该载子产生电极产生电洞以及电子。 22.如申请专利范围第1项之有机场效电晶体,其中 该载子产生电极系为浮动电极。 23.如申请专利范围第2项之有机场效电晶体,其中 该载子产生电极系为浮动电极。 24.如申请专利范围第3项之有机场效电晶体,其中 该载子产生电极系为浮动电极。 25.如申请专利范围第10项之有机场效电晶体,其中 该载子产生电极系为浮动电极。 26.如申请专利范围第11项之有机场效电晶体,其中 该载子产生电极系为浮动电极。 27.如申请专利范围第19项之有机场效电晶体,其中 该载子产生电极系为浮动电极。 图式简单说明: 图1A和1B是分别示出本发明的基本结构的示图; 图2A和2B是分别示出本发明的基本结构的示图; 图3A和3B是分别示出具有电荷产生层的有机EL元件 的示图; 图4A和4B是分别示出从载子产生电极储存电荷的原 理图; 图5A和5B是分别示出本发明的有机场效电晶体的示 图; 图6A和6B是分别示出本发明的有机场效电晶体的示 图;以及 图7A和7B是分别示出本发明的有机场效电晶体的示 图。 |
