奈米碳管阵列制作方法

摘要

本发明涉及一种奈米碳管阵列制作方法，其步骤包括：提供一基底，于该基底上形成一遮挡层；提供一催化剂溅射源，配合遮挡层于基底上溅射出一具有厚度梯度之催化剂层，并且于所述厚度梯度范围内，有一处之厚度最接近一最佳厚度；去除遮挡层，退火处理所述催化剂层；通入碳源气，于上述处理后之催化剂层上生长奈米碳管阵列，该奈米碳管阵列向背离所述最佳厚度之方向弯曲生长。本发明藉由上述奈米碳管阵列之制作方法，可实现对奈米碳管阵列局部至少向一个方向弯曲生长之控制。