发明名称 载持杂多酸及/或其盐之触媒,该触媒之制造方法及使用该触媒制造化合物之方法
摘要 本发明之目的在提供,载持杂多酸及/或其盐之更高性能的触媒,该触媒之制造方法及使用该触媒制造化合物之方法。于载体载持选自杂多酸及杂多酸盐所成群之至少一种的载持型触媒,上述杂多酸及/或杂多酸盐实质上存在于载体表面起30%之深度的表层区域。
申请公布号 TWI272123 申请公布日期 2007.02.01
申请号 TW092129330 申请日期 2003.10.22
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 酒井正明
分类号 B01J23/16(2006.01);C07C53/08(2006.01);C07C69/02(2006.01) 主分类号 B01J23/16(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种载持型触媒,系于载体上载持选自杂多酸及/ 或杂多酸盐所成群之至少一种的载持型触媒,其特 征为上述杂多酸及/或杂多酸盐之90质量%以上存在 于载体表面起30%深度之表层部区域。 2.如申请专利范围第1项之触媒,其中杂多酸系选自 矽钨酸、磷钨酸、磷钼酸、矽钼酸、矽钒钨酸、 磷钒钨酸、磷钒钼酸、矽钒钼酸、磷钼钨酸、矽 钼钨酸、矽钒钨酸、硼钨酸、硼钼酸及硼钼钨酸 所成群。 3.如申请专利范围第1项之触媒,其中杂多酸盐系选 自矽钨酸、磷钨酸、磷钼酸、矽钼酸、矽钒钨酸 、磷钒钨酸、磷钒钼酸、矽钒钼酸、磷钼钨酸、 矽钼钨酸、矽钒钨酸、硼钨酸、硼钼酸及硼钼钨 酸所成群之杂多酸的部份或全部之氢原子被选自 周期表(国际纯粹及应用化学联合法无机化学命名 法修订版(1989年))之1-13族金属元素所成群之至少 一种元素所取代的盐或上述杂多酸的盐其中之 一。 4.如申请专利范围第1、2、3项中任一项之触媒,其 中载体系选自氧化矽、矽藻土、蒙脱石、氧化钛 、活性碳、氧化矽氧化铝、氧化铝、氧化镁、氧 化铌及氧化锆所成之群。 5.如申请专利范围第1、2、3项中任一项之触媒,其 中载体之粒径在0.5至50毫米。 6.如申请专利范围第1、2、3项中任一项之触媒,其 中载体之比表面积在10至500平方米/克,且细孔容积 在0.1至2.0立方公分/克。 7.一种制造如申请专利范围第1、2、3项中任一项 之载持型触媒的方法,其特征为包含以下第一步骤 至第三步骤: 第一步骤 溶解杂多酸及/或杂多酸盐于载体吸液量之10至40 容量%之溶剂,得动粘度在2.0至15.0分司托克(40℃)之 杂多酸及/或杂多酸盐溶液的步骤; 第二步骤 以第一步骤所得之杂多酸及/或杂多酸盐溶液浸渗 于载体,得浸渗杂多酸及/或杂多酸盐之载体的步 骤; 第三步骤 乾燥第二步骤所得之浸渗杂多酸及/或杂多酸盐之 载体,得载持杂多酸及/或杂多酸盐之触媒的步骤 。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中溶剂系极性溶 剂。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中极性溶剂系低 级脂族羧酸、低级脂族醇或二者之混合物的任何 一种。 10.一种低级脂肪族羧酸之制造方法,其特征系在申 请专利范围第1、2、3项中任一项之载持型触媒之 存在下使低级脂族烯烃与氧反应。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中反应系于水 之存在下进行。 12.一种低级脂肪族羧酸之制造方法,其特征系在申 请专利范围第1、2、3项中任一项之载持型触媒之 存在下使低级烯烃与低级脂族羧酸反应。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中反应系于水 之存在下进行。 14.如申请专利范围第4项之触媒,其中载体粒径在0. 5至50毫米。 15.如申请专利范围第4项之触媒,其中载体比表面 积在10至500平方米/克,且细孔容积在0.1至2.0立方公 分/克。 16.如申请专利范围第5项之触媒,其中载体比表面 积在10至500平方米/克,且细孔容积在0.1至2.0立方公 分/克。 图式简单说明: 第1图球状载体之剖视图,A系该截面之长径线,B系 长径线中点。 第2图圆柱状载体之侧视图,ab线系可得圆(C)之最大 直径的线。 第3图第2图之圆柱状载体沿ab线切开时之剖视图,D 系该截面之长径线,E系短径线,F系长径线之中点。 第4图方柱状载体之侧视图,cd线系,面(G)为正方形 时,自边(H)之中点(J)起平行于边(I)切开载体之线, 而面(G)为长方形时,系自长边(H)之中点(J)起平行于 短边(I)切开载体之线。 第5图第4图之方柱状载体沿cd线切开时之剖视图,L 系该截面之长径线,M系短径线,N系长径线之中点。 第6图茧状载体之剖视图,O系该截面之长径线,P系 短径线,Q系长径线之中点,R系短径线之中点。 第7图管状载体之剖视图,ef线系如同圆柱状载体者 之可得圆(S)的最大直径之线。 第8图第7图之管状载体沿ef线切开之剖视图。 第9图第8图之截面的放大图。T系截面之长径线,U 系短径线,V系长径线之中点。
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