发明名称 曝光用光罩之制造方法、描画装置、半导体装置之制造方法及光罩制造用原板之制造方法
摘要 一种曝光用光罩之制造方法包含:产生或准备关于形成曝光用光罩的光罩原板之平坦度变化量资料,上述平坦度变化量资料系藉由以曝光装置内的夹头部夹持上述光罩原板所产生之关于上述光罩原板的平坦度变化之资料;在以上述夹头部夹持上述曝光用光罩之状态,使上述曝光用光罩的光罩图案成为特定的位置地,基于上述平坦度变化量资料,产生描画在上述光罩原板上之图案的位置修正资料;及在上述光罩原板上描画图案,其中一边修正上述图案的描画位置一边进行描画上述图案,并且修正上述图案的上述描画位置包含将对应上述图案之描画资料及上述位置修正资料输入至描画装置内。
申请公布号 TWI272660 申请公布日期 2007.02.01
申请号 TW094125256 申请日期 2005.07.26
申请人 东芝股份有限公司 发明人 伊藤正光
分类号 H01L21/027(2006.01);G03F1/08(2006.01);G03F7/20(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种曝光用光罩之制造方法,其包含: 产生或准备关于成为曝光用光罩的光罩原板之平 坦度变化量资料,上述平坦度变化量资料系藉由以 曝光装置内的夹头部夹持上述光罩原板所产生之 关于上述光罩原板的平坦度变化之资料; 在以上述夹头部夹持上述曝光用光罩之状态,使上 述曝光用光罩的光罩图案成为特定的位置地,基于 上述平坦度变化量资料,产生描画在上述光罩原板 上之图案的位置修正资料;及 在上述光罩原板上描画图案,其中一边修正上述图 案的描画位置一边进行描画上述图案,并且修正上 述图案的上述描画位置包含将对应上述图案之描 画资料及上述位置修正资料输入至描画装置内。 2.如请求项1之曝光用光罩之制造方法,其中 产生上述平坦度变化量资料包含:准备未由上述夹 头部所夹持之状态之上述光罩原板之平坦度和由 上述夹头部所夹持之状态之上述光罩原板之预测 平坦度;及基于上述光罩原板之上述平坦度和上述 光罩原板之上述预测平坦度,产生上述平坦度变化 量资料。 3.如请求项1之曝光用光罩之制造方法,其中 产生上述平坦度变化量资料包含:准备未由上述夹 头部所夹持之状态之上述光罩原板之平坦度和关 于上述夹头部之资料;及基于上述光罩原板之平坦 度和关于上述夹头部之资料,产生上述平坦度变化 量资料。 4.如请求项1之曝光用光罩之制造方法,其中 上述夹头部系真空夹头。 5.如请求项1之曝光用光罩之制造方法,其中 上述位置修正资料包含X-Y台之位置资讯,在上述光 罩原板之上描画上述图案时,上述光罩原板被载置 在上述X-Y台上。 6.一种描画装置,其包含: 位置修正资料产生部,其系为了产生描画在成为曝 光用光罩之光罩原板上之图案的位置修正资料者, 上述位置修正资料系为了使以曝光装置内的夹头 部夹持之状态的曝光用光罩的图案成为特定位置 之资料;及 描画部,其系基于对应上述图案之描画资料及上述 位置修正资料,一边修正上述图案的描画位置,一 边在上述光罩原板上描画上述图案者。 7.如请求项6之描画装置,其中 上述位置修正资料产生部基于未由上述夹头部所 夹持之状态之上述光罩原板之平坦度及由上述夹 头部所夹持之状态之上述光罩原板之预测平坦度, 产生上述位置修正资料。 8.如请求项6之描画装置,其中 上述位置修正资料产生部基于未由上述夹头部所 夹持之状态之上述光罩原板之平坦度及关于上述 夹头部之资料,产生平坦度变化量资料,并且基于 上述平坦度变化量资料,产生上述位置修正资料。 9.如请求项6之描画装置,其中 上述位置修正资料产生部基于关于上述光罩原板 之平坦度变化之平坦度变化量资料,产生上述位置 修正资料,上述光罩原板之上述平坦度之上述变化 ,系以上述夹头部夹持上述光罩原板所产生。 10.如请求项6之描画装置,其中 上述夹头部系真空夹头。 11.如请求项6之描画装置,其中 上述位置修正资料包含X-Y台之位置资讯,在上述光 罩原板上描画上述图案时,上述光罩原板被载置在 上述X-Y台上。 12.一种半导体装置之制造方法,其包含: 将光阻涂布在包含半导体基板之基板上; 在上述基板上方,将由请求项1、2或3之曝光用光罩 之制造方法所制造之曝光用光罩配置在曝光装置 内;在以上述曝光装置内的夹头部夹持上述曝光用 光罩之状态,经由上述曝光用光罩对上述光阻照射 带电射束或光;及对上述光阻照射上述带电射束或 光之后,藉由使上述光阻显影而形成第1光阻图案; 及 藉由将上述第1光阻图案作为遮罩而蚀刻上述基板 ,形成第1图案。 13.如请求项12之半导体装置之制造方法,其中进一 步包含: 将光阻涂布在包含上述第1图案之上述基板上; 于上述基板上方,将由请求项1、2或3之曝光用光罩 之制造方法所制造之曝光用光罩配置在曝光装置 内;在以上述曝光装置内的夹头部夹持上述曝光用 光罩之状态,经由上述曝光用光罩对上述光阻照射 带电射束或光;及对上述光阻照射上述带电射束或 光之后,藉由使上述光阻显影而形成第2光阻图案; 及 藉由将上述第2光阻图案作为遮罩而蚀刻上述基板 ,形成第2图案。 14.如请求项13之半导体装置之制造方法,其中 上述第1及第2图案系装置图案。 15.一种光罩原板制品,其包含: 光罩原板,其系成为包含光罩图案之曝光用光罩者 ;及 记录媒体,其记录有描画在上述光罩原板上之图案 的位置修正资料,以便由曝光装置内的夹头部所夹 持之状态之上述曝光用光罩的上述光罩图案成为 特定位置。 16.一种光罩原板制品,其包含: 光罩原板,其系成为包含光罩图案之曝光用光罩者 ;及 记录媒体,其记录有预测在由曝光装置内的夹头部 所夹持之际所产生之上述曝光用光罩的平坦度变 化量之预测平坦度变化量资料。 17.如请求项15之光罩原板制品,其中进一步包含: 记录媒体,其记录有未由上述夹头部所夹持之状态 之上述光罩原板之平坦度及由上述夹头部所夹持 之状态之上述光罩原板之预测平坦度之至少一方 。 18.如请求项16之光罩原板制品,其中进一步包含: 记录媒体,其记录有未由上述夹头部所夹持之状态 之上述光罩原板之平坦度及由上述夹头部所夹持 之状态之上述光罩原板之预测平坦度之至少一方 。 19.如请求项15之光罩原板制品,其中 上述记录媒体包含无线IC标签贴纸。 20.如请求项16之光罩原板制品,其中 上述记录媒体包含无线IC标签贴纸。 图式简单说明: 图1系表示关于本发明之第1实施例之从光罩的制 造步骤至半导体装置的制造步骤之流程之图。 图2系表示关于本发明之第2实施例之从光罩的制 造步骤至半导体装置的制造步骤之流程之图。 图3系表示关于本发明之第3实施例之从光罩的制 造步骤至半导体装置的制造步骤之流程之图。 图4系表示关于本发明之第4实施例之从光罩的制 造步骤至半导体装置的制造步骤之流程之图。 图5系模式地表示第4实施例之描画装置之图。 图6系表示关于本发明之第5实施例之从光罩的制 造步骤至半导体装置的制造步骤之流程之图。 图7系模式地表示第5实施例之描画装置之图。 图8系表示关于本发明之第6实施例之从光罩的制 造步骤至半导体装置的制造步骤之流程之图。 图9系模式地表示第6实施例之描画装置之图。 图10系模式地表示关于本发明之第7实施例之光罩 原板制品之图。 图11系模式地表示关于本发明之第8实施例之光罩 原板制品之图。 图12系模式地表示关于本发明之第9实施例之光罩 原板制品之图。 图13系模式地表示关于本发明之第10实施例之光罩 原板制品之图。 图14系模式地表示关于本发明之第11实施例之光罩 原板制品之图。 图15系模式地表示关于本发明之第12实施例之光罩 原板制品之图。 图16系模式地表示关于本发明之第13实施例之光罩 原板制品之图。 图17系模式地表示关于本发明之第14实施例之光罩 原板制品之图。 图18系为说明先前之问题点之图。 图19A-19C系为说明真空夹持机构之图。
地址 日本
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