| 主权项 |
1.一种用以制造矽绝缘体基片之方法,该制造方法 包括:于一矽单晶体制半导体基片(1)之表面上形成 一保护薄膜(2)作为离子植入屏蔽(光罩)之步骤,于 该保护薄膜(2)内形成规定图型(案)透空部分(3)之 步骤,沿非垂直于半导体基片之方向将氧离子(4)植 入该半导体基片(1)表面(8)之步骤,其中在植入氧离 子(4)之流动体(42)之投影(41)与基片(1)主体之特定 方位(110)之间形成至少两个夹角(),及一个热处 理该半导体基片(1)之步骤,由此在该半导体基片(1) 内形成一掩埋式氧化物薄膜(5),该热处理之步骤之 特征为包括一热处理之步骤,所用之温度不低于 1250℃,氧之流速不低于5%,及期间不少于10分钟。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中在将氧离子(4) 植入该半导体基片(1)表面(8)之步骤内,用该保护薄 膜(2)作为屏蔽实施植入作用时系分成许多循环,所 分成之诸循环间,氧离子植入流(42)在基片平面上 之投影(41)与基片主体特定方位(110)所形成之夹角 有所差异。 3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在将氧离 子(4)植入该半导体基片(1)表面(8)上之步骤内,用该 保护薄膜(2)作为屏蔽,氧离子植入流动体(42)与该 基片(1)主体表面(8)之法线(7)之间所形成之夹角( )小于10度。 4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中形成一氧 化矽薄膜作为该保护薄膜(2)。 图式简单说明: [第1图]系一图示依照本发明制造矽绝缘体基片之 方法实例流程图。 [第2图]系一图示依照本发明制造矽绝缘体基片之 方法中植入离子步骤实例之典型断面图。 [第3图]系一说明:热处理条件及依照本发明制造矽 绝缘体基片之方法中矽绝缘体/本体两区间表面高 度差成功或未成功消除之相图。 [第4图]系一说明依照既有技术制造矽绝缘体基片 之方法特征之典型断面图。 |
