| 主权项 |
1.一种制造一具有不同类型电晶体之元件之方法, 其中该元件内之该等不同类型电晶体之闸极含有 不同材料,该方法包含: 在一闸极介电层上沈积一矽沈积层; 在该矽沈积层上沈积一第一型闸极材料; 将该第一型闸极材料从欲形成至少一第二型闸极 之区域上移除; 在该矽沈积层上之该第一型闸极材料已经在该移 除制程中移除之区域上沈积一第二型闸极材料;以 及 将该第一型闸极材料和该第二型闸极材料同时图 案化成为至少一第一型闸极和该至少一第二型闸 极。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包含在 沈积该第二型闸极材料后将该第一型闸极材料和 该第二型闸极材料平坦化,其中该第一型闸极材料 和该第二型闸极材料在该图案化制程前含有一连 续层。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包含在 该图案化制程后将该元件退火,其中该退火可将该 矽沈积层与该第一型闸极材料和该第二型闸极材 料结合。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之沈 积该第一型闸极材料之制程包含在该矽沈积层上 沈积一矽锗层,以及在该矽锗层上沈积一多晶矽层 。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之沈 积该第二型闸极材料之制程包含沈积一掺杂之多 晶矽材料。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之矽 沈积层在移除该第一型闸极材料和沈积该第二型 闸极材料期间保护该闸极介电层。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包含在 形成该矽沈积层前以一单一制程形成该闸极介电 层。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之沈 积该第一型闸极材料之制程及沈积该第二型闸极 材料之制程中之至少一种包含沈积一具有分级晶 粒尺寸之多重薄膜堆叠,其中较小之多晶体晶粒比 较大之多晶矽晶粒靠近该矽沈积层。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之沈 积该第一型闸极材料之制程及沈积该第二型闸极 材料之制程中之至少一种包含沈积一具有均匀晶 粒尺寸之多重薄膜堆叠。 10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 沈积该第一型闸极材料之制程包含在该矽沈积层 上之一衬垫层上沈积一金属薄膜,以及在该金属薄 膜上沈积一金属矽化物。 11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 沈积该第二型闸极材料之制程包含在一预定气体 环境下于该矽沈积层上之一衬垫层上沈积一金属 薄膜,以及在该金属薄膜上沈积一金属矽化物。 12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 沈积该第二型闸极材料之制程包含原位(in-situ)沈 积一掺杂之多晶矽材料,其中该掺杂之多晶矽材料 中之掺质在沈积期间被活化。 13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之 第一型闸极材料和第二型闸极材料具有伴随着20- 50%锗浓度之可调整之功函数。 14.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包含 在该图案化制程后在一预定环境下将该元件退火, 其中该退火可将来自该矽沈积层之材料与该第一 型闸极和该第二型闸极结合。 15.一种制造具有不同类型电晶体之一元件之方法, 其中该元件内之该等不同类型电晶体之闸极含有 不同材料,该方法包含: 在一基板上沈积一第一型闸极材料; 将该第一型闸极材料从欲形成至少一第二型闸极 之区域上移除; 在该矽沈积层上之该第一型闸极材料已经在该移 除制程中移除之区域上沈积一第二型闸极材料;以 及 将该第一型闸极材料和该第二型闸极材料同时图 案化成为至少一第一型闸极和该至少一第二型闸 极。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,进一步包含 在沈积该第二型闸极材料后将该第一型闸极材料 和该第二型闸极材料平坦化,其中该第一型闸极材 料和该第二型闸极材料在该图案化制程前含有一 连续层。 17.如申请专利范围第15项所述之方法,进一步包含 在该图案化制程后将该元件退火。 18.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 沈积该第一型闸极材料之制程包含沈积一矽锗层, 以及在该矽锗层上沈积一多晶矽层。 19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 沈积该第二型闸极材料之制程包含沈积一掺杂之 多晶矽材料。 20.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 沈积该第一型闸极材料包含在闸极介电物质上沈 积一多重堆叠金属薄膜。 图式简单说明: 第1图系根据本发明之部分完成结构之概要图示; 第2图系根据本发明之部分完成结构之概要图示; 第3图系根据本发明之部分完成结构之概要图示; 第4图系根据本发明之部分完成结构之概要图示; 第5图系根据本发明之部分完成结构之概要图示; 第6图系根据本发明之部分完成结构之概要图示; 第7图系根据本发明之部分完成结构之概要图示; 第8图系根据本发明之部分完成结构之概要图示; 第9图系根据本发明之部分完成结构之概要图示; 第10图系根据本发明之部分完成结构之概要图示; 以及 第11图系示出本发明之较佳方法之流程图。 |
