发明名称 NORMALLY OFF III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PROGRAMMABLE GATE
摘要 A III-nitride semiconductor device which includes a charged gate insulation body.
申请公布号 US2007026587(A1) 申请公布日期 2007.02.01
申请号 US20060460725 申请日期 2006.07.28
申请人 BRIERE MICHAEL A 发明人 BRIERE MICHAEL A.
分类号 H01L21/84 主分类号 H01L21/84
代理机构 代理人
主权项
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