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发明名称 Improved etch stop layer
摘要
申请公布号 SG128451(A1) 申请公布日期 2007.01.30
申请号 SG20030007012 申请日期 2003.11.28
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD 发明人 LIN, SIMON, S. H.;CHANG WENG;JANG SYUNG-MING;LIANG MS
分类号 H01L21/31;H01L21/311;H01L21/314;H01L21/768;H01L31/0312 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
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