发明名称 |
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管(“TFT”)阵列面板。TFT阵列面板包括绝缘基板、形成在绝缘基板上并包括栅电极的栅线、与栅线绝缘并交叉且包括源电极的数据线、在栅线上与源电极相对配置的漏电极、和形成在数据线和栅线之间的层中并具有在漏电极之下延伸的伸出部分的半导体,其中该半导体的从数据线占据的区域向漏电极延伸的部分设置在包括栅电极的栅线的占据区域内。 |
申请公布号 |
CN1901209A |
申请公布日期 |
2007.01.24 |
申请号 |
CN200610128565.3 |
申请日期 |
2006.06.09 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
金景旭;朴旻昱 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
张波 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管阵列面板,包括:绝缘基板;形成在该绝缘基板上并包括栅电极的栅线;与该栅线绝缘并交叉且包括源电极的数据线;在该栅线上与该源电极相对设置的漏电极;及形成在该数据线和该栅线之间的层中的半导体,该半导体具有在该漏电极之下延伸的伸出部分,其中该半导体的从该数据线占据的区域向该漏电极延伸的部分设置在包括该栅电极的该栅线的占据区域内。 |
地址 |
韩国京畿道 |