发明名称 具有横向P/N结的VCSEL系统
摘要 本发明提供了一种VCSEL系统,其包括:形成第一反射镜;在所述第一反射镜上形成垂直腔,所述垂直腔包括集成的多个增益区;并且沿着所述集成的多个增益区的横向形成横向p/n结,其中,正向偏压所述横向p/n结在所述集成的多个增益区中引起光子发射。
申请公布号 CN1901300A 申请公布日期 2007.01.24
申请号 CN200610103335.1 申请日期 2006.07.18
申请人 安华高科技杰纳勒尔IP(新加坡)私人有限公司 发明人 杰弗里·N·米勒;斯科特·W·科尔扎因;戴维·P·保尔
分类号 H01S5/183(2006.01);H01S5/32(2006.01) 主分类号 H01S5/183(2006.01)
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 柳春雷
主权项 1.一种垂直腔面发射激光器系统,包括:形成第一反射镜;在所述第一反射镜上形成垂直腔,所述垂直腔包括集成的多个增益区;并且沿着所述集成的多个增益区的横向形成横向p/n结,其中,正向偏压所述横向p/n结在所述多个增益区中引起光子发射。
地址 新加坡新加坡市