发明名称 晶体薄板的制造方法及包含晶体薄板的太阳能电池
摘要 通常,晶体薄膜生长时,为控制生长面温度通常需要改变冷却能力,在水冷却的情况下难以大幅度地变化冷却水的流量。而在气冷的情况下大幅变化冷却气的流量,系统需要更大规模,制造成本高。根据本发明,彻底解决了上述问题,并且可以容易地进行生长晶体薄板的表面的温度控制,从而可以低成本生产晶体薄板。具体地,将由至少两层构成、其中一层由热导率与另一层的热导率不同的材料制成的多层结构基体与可以形成含有金属材料或半导体材料的至少一种的晶体的物质的熔融液接触,并控制基体温度,从而在基体上生长可以形成晶体的物质的晶体,由此得到晶体薄板。
申请公布号 CN1296527C 申请公布日期 2007.01.24
申请号 CN01815940.0 申请日期 2001.08.06
申请人 夏普株式会社 发明人 胡间修二;佃至弘;矢野光三郎;谷口浩
分类号 C30B19/12(2006.01);C01B33/02(2006.01);H01L21/208(2006.01);H01L31/04(2006.01) 主分类号 C30B19/12(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 樊卫民;杨青
主权项 1.一种制造晶体薄板的方法,其特征在于,使包含至少两层、其中一层由热导率与另一层的材料不同的材料制成的多层结构基体,与可以形成含有金属材料或半导体材料的至少一种的晶体的物质的熔融液接触,并进一步控制基体温度,从而在基体表面上生长可以形成晶体的物质的晶体,由此得到晶体薄板,其中,基体具有包括表面层和背面层及夹在其中间的至少一个中间层的多层结构,并且通过具有包括至少一层由热导率与表面层和背面层材料不同的材料制成的中间层的基体控制基体温度。
地址 日本大阪府大阪市