发明名称 |
半导体存储器 |
摘要 |
一种操作控制电路把响应读请求、写请求或刷新请求而激活之读出放大器的非激活定时,设置为读出放大器为了响应刷新请求而输出之可能的最大信号量传送到存储器单元的定时。把读出放大器的活化周期调整为刷新操作,能够减少存取时间。一种刷新控制电路在延长产生刷新请求的周期之前,连续产生预定数目的刷新请求,以刷新所有存储器单元。连续发生刷新请求时,能够降低刷新频率,以降低功率消耗。结果,能够缩短存取时间而不增加待用模式期间的功率消耗。 |
申请公布号 |
CN1297009C |
申请公布日期 |
2007.01.24 |
申请号 |
CN03106307.1 |
申请日期 |
2003.02.21 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
森郁;山田伸一 |
分类号 |
H01L27/10(2006.01);G11C11/34(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/10(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1.一个半导体存储器,包括:多个需要刷新以保持数据的存储器单元;若干读出放大器,用于放大要写到所述存储器单元之数据中的信号量;一个操作控制电路,用于激活所述读出放大器,以响应对所述存储器单元的读请求、写请求和刷新请求,以及用于把所述读出放大器的非激活定时设置为对应于这样的定时,即在该定时中,要由读出放大器响应所述刷新请求运行而放大的最大可能信号量,被存储在所述存储器单元中,并且小于最大可能信号量的信号量在对应于写请求的写操作中和对应于读请求的读操作中被存储在所述存储器单元中;以及一个刷新控制电路,用于周期地产生刷新请求信号作为刷新请求,以及在连续地产生了预定数目的所述刷新请求而没有所述读请求或所述写请求的介入之后,使产生所述刷新请求信号的周期延长,使得存储器单元全部刷新。 |
地址 |
日本神奈川 |