单晶硅晶片及单晶硅的制造方法

摘要

本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法(CZ法)生长单晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔的V区域、OSF区域，也不属于富含晶格间隙硅的I区域的硅单晶晶片。

主权项

1.一种单晶硅晶片，其是通过切克劳斯基法生长的单晶硅晶片，其特征为：在全晶片内进行热氧化处理时，环状地发生OSF的外侧的N区域，即Nv区域的部分区域中，不存在通过Cu淀积所检测出的缺陷区域。