包含应力调节覆盖层的互连结构及其制造方法

摘要

在此提供一种用于半导体器件中的新型互连结构，其具有相对较低的内部应力和介电常数。该新型互连结构包括：具有大于大约20ppm的热膨胀系数和相关的第一内部应力的第一层面，该第一层面具有形成在其中的第一组金属线；具有小于大约20ppm的热膨胀系数和相关的第二内部应力的第二层面，该第二层面具有形成在其中的第二组金属线；形成在第一层面和第二层面之间的应力调节覆盖层，该覆盖层具有第三内部应力，以补偿与第一层面相关的第一内部应力和与第二层面相关的第二内部应力，并且良好地减轻在该互连结构上的应力。在此还提供一种用于制造具有大大减小的内部应力的半导体器件的方法。

主权项

1.一种互连结构，其中包括：第一或多个互连层级，一个层级叠加在另一个层级之上，每个层级包括具有大于20ppm的热膨胀系数和相关的第一内部应力的第一层面，该第一层面具有形成在其中的第一组金属线；一个或多个第二互连层级，一个层级叠加在另一个层级之上，每个层级包括具有小于20ppm的热膨胀系数和相关的第二内部应力，该第二层面具有形成在其中的第二组金属线；以及形成在第一层面和第二层面之间的一个或多个应力调节覆盖层，该覆盖层具有第三内部应力，该应力被选择为补偿第一层面的第一内部应力和第二层面的第二内部应力，并且良好地减轻在该互连结构上的应力。