沟道区中具有硅和碳层的晶体管

摘要

一种晶体管及其制造方法，该晶体管具有形成于沟道内的应变材料层以增加晶体管速度并改善晶体管性能。在该沟道区内外延生长硅和碳层。可在该硅和碳层上形成薄半导体材料，并在形成该硅和碳层之前外延生长应变半导体层。

主权项

1.一种制造晶体管的方法，该方法包括：提供工件；在该工件上生长应变半导体层；在该应变半导体层上生长第一硅和碳层；在该硅和碳层上沉积栅介电材料；在该栅介电材料上沉积栅材料；图形化该栅材料和该栅介电材料从而形成置于该硅和碳层上的栅及栅电介质；以及在该硅和碳层以及该应变半导体层内形成源区和漏区，其中该源区、漏区、栅和栅电介质构成晶体管。