| 发明名称 | 垂直PNP晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种器件结构，该结构位于半导体衬底中并且包括高性能垂直NPN和PNP晶体管。具体地说，垂直PNP晶体管具有发射极区域，并且垂直NPN晶体管具有本征基极区域。垂直PNP晶体管的发射极区域和垂直NPN晶体管的本征基极区域位于单个含硅锗层中，并且它们都包括单晶硅锗。本发明还涉及制造这样的器件结构的方法，该方法基于用于CMOS和双极器件的常规制造工艺的间接修改，具有很少或没有附加工艺步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1901197A | 申请公布日期 | 2007.01.24 |
| 申请号 | CN200610101301.9 | 申请日期 | 2006.07.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | B·T·弗格利;P·B·格雷 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01);H01L21/8222(2006.01) | 主分类号 | H01L27/082(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种位于半导体衬底中的器件结构，包括：垂直PNP晶体管，具有发射极区域；以及垂直NPN晶体管，具有本征基极区域，其中所述垂直PNP晶体管的发射极区域和所述垂直NPN晶体管的本征基极区域都包括单晶结构并且都位于单个含硅锗层中。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||