用于非易失性存储器阵列中的读取误差检测的方法、电路和系统

摘要

本发明是一种用于确定将在读取被编程到给定编程状态的单元时使用的参考电压的方法、电路和系统。本发明的一些实施例涉及用于建立一组将用于操作(例如读取)NVM块或阵列中的单元的操作参考单元的系统、方法和电路。作为本发明的一部分，可以读取NVM块或阵列的单元中的至少一个子集，并且可以将在与该阵列相关的给定状态发现的单元数量与一个或多个校验和值进行比较，所述一个或多个校验和值是在单元的所述至少一个子集的编程期间获得的。根据比较的结果，可以调节与给定编程状态相关的或与相邻状态相关的读取验证阈值参考电压。

主权项

1、一种在一组NVM单元中检测读取误差的方法，所述方法包括：在该组单元编程期间或之前，计算将被编程到、高达和/或高于与所述NVM单元相关的一组逻辑状态中的一个或多个逻辑状态的单元数量；和将在给定状态读取的单元数量与对应于许多单元的值进行比较，根据编程期间或之前进行的所述计算，所述许多单元应该处于所述给定状态。