接触孔的制造方法以及半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种接触孔的制造方法以及一种半导体元件的制造方法。首先提供一衬底，且衬底上形成有数个导电结构。接着进行离子注入步骤。随后进行热工艺，以在导电结构的侧壁上以及未被导电结构覆盖的衬底表面上形成衬层，其中形成在导电结构侧壁处的衬层的厚度小于形成在衬底表面上的衬层的厚度。接着在导电结构两侧形成间隙壁。随后在衬底上方形成绝缘层，并使图案化绝缘层图案化，以在相邻的其中两个导电结构之间形成接触孔。由于本发明在导电结构的侧壁处形成的衬层厚度较薄，因此后续无须再进行侧壁衬层的蚀刻，因而可以确保衬底表面上的衬层的厚度的均匀性。

主权项

1.一种接触孔的制造方法，包括：提供一衬底，该衬底上已形成有多个导电结构；进行一离子注入步骤；进行一热工艺，以在该些导电结构的侧壁上以及未被该些导电结构覆盖的该衬底表面上形成一衬层，其中形成在该些导电结构侧壁处的该衬层的厚度小于形成在该衬底表面上的该衬层的厚度；在该衬底上方形成一绝缘层，覆盖该些导电结构；以及图案化该绝缘层，以在相邻的两个导电结构之间形成一接触孔，其中，该离子注入步骤为一倾斜离子注入步骤，以在该些导电结构的侧壁表面注入离子，其中该离子在热工艺中具有抑制氧化层膜层生长的性质；或者该离子注入步骤为一垂直离子注入步骤，以在该些导电结构之间的衬底表面注入离子，其中该离子在热工艺中具有促进氧化层膜层生长的性质。