| 主权项 |
1.一种使用电荷耦合装置(CCD)的固态摄像设备,其 包括形成在一半导体基材之一表面上的一n型杂质 掺杂区域和埋入式电荷耦合装置(BCCD)区域,该固态 摄像设备至少包含: 一第一保护膜,其系形成在该n型杂质掺杂区域和 该BCCD区域上; 多晶矽电极,其等系制备在已形成于该BCCD区域上 之该第一保护膜上; 一第二保护膜,其覆盖该等多晶矽电极; 一BPSG膜,其系以一预定厚度形成在该第一和第二 保护膜之上表面上; 一金属光遮蔽膜,其形成在该BPSG膜上,使得该n型杂 质掺杂区域可被开启;及 一钝化膜或平坦化膜,其系形成在该金属光遮蔽膜 及该已开启之n型杂质掺杂区域上。 2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该第一或 第二保护膜系由SiO2、SiON、SiN中之一形成。 3.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该金属光 遮蔽膜系藉由堆叠W、Mo、Ti、WSi、MoSi、TiSi中之一 或其任何组合而形成。 4.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该BPSG膜 之厚度系大于从该第一保护膜之上表面到该第二 保护膜之上表面的总和。 5.如申请专利范围第4项所述之设备,其中该BPSG膜 的厚度系1200埃至2000埃。 6.一种组装一使用电荷耦合装置(CCD)之固态摄像设 备之方法,该固态摄像设备包括形成在一半导体基 材之一表面上的一n型杂质掺杂区域和埋入式电荷 耦合装置(BCCD)区域,该方法至少包含以下步骤: 形成一第一保护膜于该n型杂质掺杂区域和该BCCD 区域上; 形成二多晶矽电极于该BCCD区域上部之该第一保护 膜上,且接着形成一第二保护膜于该二多晶矽电极 上; 形成一平坦化BPSG膜在该第一及该第二保护膜上; 形成一金属光遮蔽膜于该BPSG膜上,使得该n型杂质 掺杂区域被开启;及 形成一钝化膜或平坦化膜于该金属光遮蔽膜及该 BPSG膜上,以形成一滤色器图案于其上。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该BPSG膜 系沉积以使具有之厚度大于从该第一保护膜之上 表面到该第二保护膜之上表面的总和,且该BPSG膜 系藉由化学机械研磨(CMP)平坦化。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该CMP可进 行直到一已平坦化BPSG膜之厚度不小于从该第一保 护膜之上表面到该第二保护膜之上表面的总和。 9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中形成该金 属光遮蔽膜之步骤包括: 使用喷溅或化学气相沉积(CVD)沉积W或WSi至一预定 厚度;且 仅蚀刻该n型杂质掺杂区域的上部。 图式简单说明: 第1图系使用具有一般蜂房式结构之CCD的固态摄像 设备之俯视图; 第2图系使用CCD之先前技术固态摄像设备的像素之 断面图; 第3a与3b图系描述使用CCD组装先前技术固态摄像设 备的先前技术方法中之问题的断面图; 第4图系使用依据本发明之CCD的固态摄像设备之断 面图;及 第5a至5d图系描述使用依据本发明之CCD以制造固态 摄像设备的方法之断面图。 |
