| 主权项 |
1.一种设计虚置图案的方法,用以减少膜图案密度 失配,其中包括: 提供一基板,该基板上具有一布局图案密度分布, 该布局图案密度分布乃根据位于该基板表面之至 少一个内连线来决定; 定义一第一填充图案,该第一填充图案具有复数个 小型虚置填充并且定义一小型虚置填充阵列,根据 上述内连线,该小型虚置填充阵列间隔地排列; 判别一延伸区,该延伸区位于该基板表面上并且不 包括上述小型虚置填充以及上述内连线;以及 定义一第二填充图案,该第二填充图案具有至少一 个大型虚置填充,上述大型虚置填充包含一部分上 述延伸区; 其中上述第二填充图案定义一大型虚置填充阵列, 该大型虚置填充阵列与上述小型虚置填充阵列为 互相独立。 2.如申请专利范围第1项所述之设计虚置图案的方 法,其中更包括在每一个上述第一填充图案与上述 第二填充图案产生后,在整个基板上沈积一介电层 。 3.如申请专利范围第1项所述之设计虚置图案的方 法,其中每一个上述小型虚置填充与上述内连线之 间间隔一段距离。 4.如申请专利范围第1项所述之设计虚置图案的方 法,其中上述内连线与上述大型虚置填充之间,至 少被插入少一个上述小型虚置填充。 5.如申请专利范围第1项所述之设计虚置图案的方 法,其中上述内连线与基板的一边缘之间,至少被 插入一个大型虚置填充。 6.如申请专利范围第1项所述之设计虚置图案的方 法,其中上述第一填充图案和上述第二填充图案不 对称于该基板。 7.如申请专利范围第1项所述之设计虚置图案的方 法,其中该小型虚置填充阵列围绕上述内连线。 8.如申请专利范围第1项所述之设计虚置图案的方 法,其中更包括定义一禁区,该禁区对称地围绕上 述内连线,该禁区上不可以安排上述第一填充图案 和上述第二填充图案。 9.一半导体元件,其中包括: 一基板,该基板上具有一内连线; 一第一填充图案,用以定义一小型虚置填充阵列, 该小型虚置填充阵列乃复数个小型虚置填充根据 该上述内连线间隔地排列;以及 一第二填充图案,用以定义一大型虚置填充阵列, 该大型虚置填充阵列由复数个大型虚置填充所组 成,上述大型虚置填充位于该基板上没有布局上述 内连线以及上述第一填充图案的区域; 其中上述第一填充图案与第二填充图案的产生为 互相独立。 10.如申请专利范围第9项所述之半导体元件,其中 更包括一介电层,该介电层沈积于上述内连线、上 述第一填充图案以及上述第二填充图案之上。 11.如申请专利范围第9项所述之半导体元件,其中 上述小型虚置填充阵列与上述内连线之间具有一 段距离。 12.如申请专利范围第9项所述之半导体元件,其中 上述内连线与上述大型虚置填充之间,至少被插入 一个小型虚置填充。 13.如申请专利范围第9项所述之半导体元件,其中 上述小型虚置填充阵列围烧上述内连线。 14.一种设计虚置图案的装置,其中包括储存复数个 可执行指令的一机械可读媒体,上述指令可由一微 处理器执行,用以实现一智慧型虚置填充演算法, 其中储存于该机械可读媒体中的指令所执行的步 骤包括: 提供一基板,其上具有一布局图案密度分布,该布 局图案密度分布乃根据位于该基板表面之至少一 个内连线来决定; 定义一第一填充图案,该第一填充图案具有复数个 小型虚置填充并且定义一小型虚置填充阵列,根据 上述内连线,该小型虚置填充阵列间隔地排列; 判别一延伸区,该延伸区位于该基板表面上并且不 包括上述小型虚置填充以及上述内连线;以及 定义一第二填充图案,该第二填充图案具有至少一 个大型虚置填充,上述大型虚置填充包含一部分上 述延伸区; 其中上述第二填充图案定义一大型虚置填充阵列, 该大型虚置填充阵列与上述小型虚置填充阵列为 互相独立。 15.如申请专利范围第14项所述之设计虚置图案的 装置,其中更包括在每一个上述第一填充图案与上 述第二填充图案产生后,在整个基板上沈积一介电 层。 16.如申请专利范围第14项所述之设计虚置图案的 装置,其中每一个上述小型虚置填充与上述内连线 之间间隔一段距离。 17.如申请专利范围第14项所述之设计虚置图案的 装置,其中上述内连线与上述大型虚置填充之间, 至少被插入少一个上述小型虚置填充。 18.如申请专利范围第14项所述之设计虚置图案的 装置,其中上述内连线与基板的一边缘之间,至少 被插入一个大型虚置填充。 19.如申请专利范围第14项所述之设计虚置图案的 装置,其中上述第一填充图案和上述第二填充图案 不对称于该基板。 20.如申请专利范围第14项所述之设计虚置图案的 装置,其中该小型虚置填充阵列围烧上述内连线。 21.一种设计虚置图案的方法,其中包括: 提供一基板,其上包括一布局图案; 判别一禁区,该禁区包括该布局图案以及沿着该布 局图案轮廓包围该布局图案的一区域; 判别一第一虚置区域,该第一虚置区域环绕该禁区 ;以及 定义一第一填充图案,其中包括具有相同尺寸的复 数个第一虚置填充,上述第一虚置填充位于该第一 虚置区域上并且被安置在沿着环绕该禁区的一线 条上。 22.如申请专利范围第21项所述之设计虚置图案的 方法,其中更包括: 判别一第二虚置区域,该第二虚置区域位于该基板 上并且不包括该禁区以及该第一虚置区域;以及 定义一第二填充图案,该第二填充图案位于该第二 虚置区域上并且包括复数个第二虚置填充。 23.如申请专利范围第22项所述之设计虚置图案的 方法,其中至少有一个上述第二虚置填充的尺寸大 于上述第一虚置填充。 24.如申请专利范围第21项所述之设计虚置图案的 方法,其中该线条与该禁区的轮廓是相同的。 25.一种设计虚置图案的方法,其中包括: 提供一基板,其上包括一布局图案; 判别一禁区,该禁区包括该布局图案以及沿着该布 局图案轮廓包围该布局图案的一区域; 判别一第一虚置区域,该第一虚置区域环绕该禁区 ;以及 定义一对称填充图案,其中包括位于第一虚置区域 并且具有相同尺寸的复数个第一虚置填充。 26.如申请专利范围第25项所述之设计虚置图案的 方法,其中更包括: 判别一第二虚置区域,该第二虚置区域位于该基板 上并且不包括该禁区以及该第一虚置区域;以及 定义一不对称填充图案,该不对称填充图案位于该 第二虚置区域上并且包括复数个第二虚置填充。 27.如申请专利范围第26项所述之设计虚置图案的 方法,其中至少有一个上述第二虚置填充的尺寸大 于上述第一虚置填充。 图式简单说明: 第1图说明一传统虚置填充法 第2图说明一智慧型虚置填充法的一实施例 第3图说明一传统虚置填充法的一实施例 第4图说明另一种智慧型虚置填充法的一实施例 第5图说明虚置填充的一个阶层尺寸范例 第6图说明一种定义图案区域的方法 第7图显示一智慧型虚置填充法的流程图 第8图显示一智慧型虚置填充法的流程图(将第7图 视觉化) |
