发明名称 叠对量测标记
摘要 于半导体装置制造期间所用的叠对量测方法中,叠对标记有助于在半导体晶圆结构上对其中两层进行对准及/或量测其中两层的对准误差,或是对准及/或量测同一层上的不同曝光。量测标记非常地小,可置放于结合适当量测方法之半导体装置的主动区域内,改良量测精确度。
申请公布号 TWI271811 申请公布日期 2007.01.21
申请号 TW094134773 申请日期 2005.10.05
申请人 财团法人工业技术研究院;安格盛光电科技股份有限公司 ACCENT OPTICAL TECHNOLOGIES, LTD. 美国 发明人 顾逸霞;庞秀兰;史密斯 奈卓尔
分类号 H01L21/66(2006.01);G01B11/00(2006.01) 主分类号 H01L21/66(2006.01)
代理机构 代理人 郭雨岚 台北市大安区仁爱路3段136号15楼;林发立 台北市大安区仁爱路3段136号15楼
主权项 1.一种用于光学成像系统之标记,以决定一积体电 路结构中两层或两层以上间的相对位置或一积体 电路结构中单层中两个或两个以上分离产生之图 样间之相对位置,包括: 一第一标记部分,其与第一层或图样相关联,以及 一第二标记部分,其与第二层或图样相关联;以及 该第一标记部分包含一实质对称形状的框架且该 第二标记部分包含一位于该第一标记部分之该框 架内的实质对称图样。 2.如申请专利范围第1项所述之标记,其中前述第一 与第二标记部分分别显影于第一与第二层之内或 之上。 3.如申请专利范围第1项所述之标记,其中前述第一 与第二标记部分系由微影制程印刷而成。 4.如申请专利范围第1项所述之标记,其中前述第一 与第二标记部份之图样之中心点实质上系一致的 。 5.如申请专利范围第1项所述之标记,其中水平尺寸 与垂直尺寸实质上系相同的。 6.如申请专利范围第1项所述之标记,其中前述第一 标记之实质对称形状的框架实质上系圆形、正方 形、线形、对称多边形、三角形、矩形或前述之 组合。 7.如申请专利范围第6项所述之标记,其中前述实质 对称形状的框架实质上系矩形。 8.如申请专利范围第1项所述之标记,其中前述第二 标记的实质对称图样实质上系圆形、正方形、线 形、对称多边形、三角形、十字形、矩形或前述 之组合。 9.如申请专利范围第8项所述之标记,其中前述第二 标记的实质对称图样实质上系十字形。 10.如申请专利范围第1项所述之标记,其中由第一 标记部分所形成之框架的尺寸遵守该微影制程的 设计规则。 11.如申请专利范围第1项所述之标记,其中该第一 标记之实质对称形状的框架或第二标记的实质对 称图样或两者系由较小的图样子元件所构成。 12.如申请专利范围第11项所述之标记,其中前述至 少一个子元件的形状实质上系圆形、正方形、线 形、对称多边形、三角形、十字形、矩形或前述 之组合。 13.如申请专利范围第1项所述之标记,其中由第二 标记部分所形成之实质对称图样的尺寸遵守该微 影制程的设计规则。 14.一种积体电路结构,包括: 一第一层,其包含一主动电路区域与一切割线区域 ; 一第一度量标记,位于前述第一层的主动电路区域 内; 一第二层,其包含一主动电路区域与一切割线区域 ;及 一第二度量标记,位于前述第二层的主动电路区域 内。 15.如申请专利范围第14项所述之积体电路结构,其 中前述第一度量标记的形状实质上系圆形、正方 形、线形、对称多边形、三角形、矩形或前述之 组合。 16.如申请专利范围第15项所述之积体电路结构,其 中前述第一度量标记的形状实质上系矩形。 17.如申请专利范围第14项所述之积体电路结构,其 中前述第二度量标记的形状实质上系圆形、正方 形、线形、对称多边形、三角形、十字形、矩形 或前述之组合。 18.如申请专利范围第17项所述之积体电路结构,其 中前述第二度量标记的形状实质上系十字形。 19.一种积体电路,包括: 一位于一层上之第一电路图样,该第一电路图样具 有一主动电路区域; 一第一度量标记,位于前述第一电路图样的主动区 域内; 一位在该层上之第二电路图样,该第二电路图样具 有一主动电路区域;及 一第二度量标记,位于前述第二电路图样的主动区 域内。 20.如申请专利范围第19项所述之积体电路,其中前 述第一度量标记的形状实质上系圆形、正方形、 线形、对称多边形、三角形、矩形或前述之组合 。 21.如申请专利范围第20项所述之积体电路,其中前 述第一度量标记的形状实质上系矩形。 22.如申请专利范围第19项所述之积体电路,其中前 述第二度量标记的形状实质上系圆形、正方形、 线形、对称多边形、三角形、十字形、矩形或前 述之组合。 23.如申请专利范围第22项所述之积体电路,其中前 述第二度量标记的形状实质上系十字形。 24.一种量测半导体装置中之叠对误差的方法,其步 骤如下: 将一第一标记部分置放于前述装置的第一主动区 域内; 将一第二标记部分置放于前述装置的第二主动区 域内;及 量测前述第一标记部分与前述第二标记部分间的 偏移量。 25.如申请专利范围第24项所述之方法,其中前述第 一标记部分包含一实质矩形的框架且前述第二标 记部分包含一十字形,其中该标记部分中的框架与 十字的宽度均遵守该微影制程的设计规则。 26.如申请专利范围第24项所述之方法,其中该标记 图样中的框架或十字中任一者或两者均系由依照 或接近该微影制程的设计规则来图样化所制成的 子元件所构成。 27.一种用于光学成像系统之叠对度量标记,以决定 一积体电路结构中两层或两层以上间的相对位置 或一积体电路结构中单层中两个或两个以上分离 产生之图样间之相对位置,包括: 一第一标记部分,其与第一层或图样相关联,以及 一第二标记部分,其与第二层或图样相关联; 该第一标记部分包括一矩形的框架; 该第二标记部分包括四个矩形,位于前述第一标记 部分所界定之框架内含的十字形状之中;及 前述四个矩形间保有一间隙,该间隙非常大足以避 免因该微影印刷制程而造成矩形形状产生实质变 化。 图式简单说明: 第一图系一先前技术之标记的俯视图。 第二图系本发明之标记的示意图。 第三图系标记的侧视图或截面图。 第四图系标记的侧视图或截面图。 第五图系标记的侧视图或截面图。 第六图系标记的侧视图或截面图。 第七图系本发明之标记的示意图。 第八图系本发明之标记的示意图。 第九图系本发明之标记的示意图。
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