发明名称 Low compressive TiNx, materials and methods of making the same
摘要 Disclosed herein is a microelectromechanical device having a structural layer composed of a low stress TiN<SUB>x </SUB>layer and a method of making the same.
申请公布号 US2007015304(A1) 申请公布日期 2007.01.18
申请号 US20050183056 申请日期 2005.07.15
申请人 DOAN JONATHAN 发明人 DOAN JONATHAN
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
地址